制造商 | Rohm Semiconductor | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 5mA,10V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 150mV @ 500µA,5mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA(ICBO) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SC-85 | 供应商器件封装 | UMT3F |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1) | 10 kOhms | 频率 - 跃迁 | 250MHz |
功率 - 最大值 | 200mW |
DTC014TUBTL 是由 Rohm Semiconductor 生产的一款高性能 NPN 预偏压数字晶体管,其设计主要应用于现代电子设备中,具有极高的集成度和可靠性。该元器件采用 SC-85 封装(也被称为 UMT3F),适合于表面贴装(SMD)技术,方便在各种电路板上进行自动化贴装。其主要特点包括高电流增益、优越的频率响应、以及适中的功率处理能力,使其非常适合于开关和放大应用。
制造商与品牌:
封装与状态:
电气特性:
饱和压降特性:
基极电阻:
高电流增益: DTC014TUBTL 在较低的电流输入下,能够提供出色的电流增益,这使得它在放大器和开关电路中的应用更加高效。这种高增益特性使得用户在设计电路时,可以选择更小的控制电流,从而降低整体功耗。
低饱和压降: 在较低的负载电流情况下,如5mA时具有150mV 的饱和压降,这有助于提升电路的效率,尤其是在开关应用中,可以有效减少热量产生,改善系统的热管理。
高击穿电压: 相较于其他同类产品,该晶体管提供高达50V的集射极击穿电压,增强了其抗电压尖峰的能力,为电子设备的可靠性提供了保障。
小尺寸封装: SC-85 封装安置于各种空间受限的应用场合,适合便携式及嵌入式设备,使得其在现代电子产品设计中极具灵活性。
宽频率响应: 250MHz的跃迁频率使其能够适应高速信号处理的需求,适用于数字电路、高频开关电源等领域。
DTC014TUBTL 广泛应用于各种电子设备,具体应用领域包括但不限于以下几个方面:
DTC014TUBTL 是一款性能出色的 NPN 预偏压数字晶体管,凭借其高增益、低饱和压降、宽电压范围和小巧的封装,满足了现代电子产品对于高效能和高可靠性的需求。无论是在新颖的数字应用还是在传统的模拟电路中,这款产品都展现出其强大的适应性,成为广大电子工程师和设计师的首选组件。对于追求高性能、低功耗以及高度集成化设计方案的行业应用,DTC014TUBTL无疑是一个理想的选择。