晶体管类型 | NPN - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 10 kOhms |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 5mA,10V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 150mV @ 500µA,5mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA(ICBO) | 频率 - 跃迁 | 250MHz |
功率 - 最大值 | 150mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SOT-723 | 供应商器件封装 | VMT3 |
DTC014TMT2L 是一款由日本 ROHM 半导体公司生产的数字晶体管,采用 NPN 预偏压结构,专为表面贴装应用设计。这款产品在性能上表现出色,适合多种电子设备,如开关电源、信号放大器、数字电路等。其主要应用在需要高增益、低功耗和快速开关能力的电路设计中,是近年来电子行业越来越普遍的一款元器件。
晶体管类型:NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic):最大值 100mA
电压 - 集射极击穿 (Vce):最大值 50V
直流电流增益 (hFE):最小值 100 @ 5mA,10V
基极电阻 (R1):10 kOhms
饱和压降 (Vce):最大值 150mV @ 500µA,5mA
截止电流 (ICBO):最大值 500nA
频率 - 跃迁:250MHz
功率 - 最大值:150mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-723,尺寸紧凑
供应商器件封装:VMT3
DTC014TMT2L 可广泛应用于以下领域:
总而言之,DTC014TMT2L 是一款具有高度可靠性和优越性能的 NPN 数字晶体管,广泛适用于各类电子设备设计。其技术参数、功能优势使得它成为了市场上备受青睐的选择,尤其是在需要高增益和低功耗的应用场景中。通过使用 DTC014TMT2L,设计工程师能够有效提高产品的整体性能和经济效益,满足现代电子产品日益严苛的需求。