WPM3401-3/TR
WPM3401-3/TR参数
| 功率(Pd) | 1.3W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 90pF@15V |
| 商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 38mΩ@10V,4.3A |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 24.8nC@10V | 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 类型 | 1个P沟道 | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.25nF@15V |
| 连续漏极电流(Id) | 4.6A | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
WPM3401-3/TR手册
WPM3401-3/TR概述
产品概述：WPM3401-3/TR MOSFET
一、产品简介
WPM3401-3/TR是一款高性能的P沟道场效应管（MOSFET），具有极佳的电子性能和高可靠性，特别适合用于低功耗电子电路和开关电源等多种应用场合。此器件由知名品牌WILLSEMI（韦尔）制造，封装采用紧凑的SOT-23-3L外形，使其在小型化设计中表现出色。
二、基本参数
- 功率：1.3W
- 电压：30V
- 电流：4.6A
- 沟道类型：P沟道
- 封装类型：SOT-23-3L
三、特性与优势
高效能：WPM3401-3/TR具备高达4.6A的持续漏电流，适用于多种负载，可以高效驱动各种负载器件，包括电机、LED照明及其他低至中等功率的负载。
高耐压：其最大承受电压为30V，广泛适应低压应用，能够满足各种电路设计的要求，确保在高电压情况下的稳定性和安全性。
低导通阻抗：该MOSFET在导通状态下展示出极低的导通阻抗，能够有效降低功率损耗及热量产生，提高系统的整体效率，延长设备的使用寿命。
小型封装：采用SOT-23-3L封装，具有小巧、低占用面积的特点，特别适合空间受限的应用设计。其适应性强，可以方便地集成于各种电子产品中。
快速开关能力：MOSFET的开关特性优秀，能在较短的时间内在导通和关断状态之间快速切换，适合高频率的开关应用，减少延迟，提高系统响应速度。
四、应用领域
WPM3401-3/TR的广泛应用场景包括但不限于：
功率开关：作为电源管理中的开关元件，能够有效控制电源的通断，特别适用于DC-DC转换器及其他电源模块。
电动机驱动：适合用于电动机控制应用，如无刷DC电机和步进电机，提升电机的性能与可靠性。
LED驱动：可用作LED照明的控制开关，实现高效的能量管理，优化灯具设计。
消费者电子产品：广泛应用于智能手机、平板电脑以及其他便携式电子产品，满足对薄型和轻量化设计的需求。
五、设计注意事项
在设计应用WPM3401-3/TR时，设计师应注意以下几点：
散热管理：虽然该MOSFET具有较低的导通阻抗，但在高负载条件下仍需考虑适当的散热方案，以确保器件在安全的温度范围内工作。
PCB布局：在电路板设计中，应尽量缩短MOSFET与负载之间的连接路径，降低寄生电感，以保证快速开关特性，实现更好的动态响应。
电源电压：确保电源的电压在30V以下，以防器件损坏。同时，尽量避免瞬态电压冲击造成的影响。
六、总结
WPM3401-3/TR作为一款性能优异的P沟道MOSFET，凭借其高效能、小型封装和宽广的应用场景，成为现代电子设计中不可或缺的元件之一。其在电源管理、马达驱动及照明控制等领域的表现，满足了市场对于高性能和高可靠性的广泛需求。通过合理设计与应用，WPM3401-3/TR将有助于提升电子产品的效能和竞争力。