UT3P06G-AE3-R

UT3P06G-AE3-R 产品概述

一、产品简介

UT3P06G-AE3-R 是由友顺（UTC）公司生产的一款高性能 N 通道 MOSFET（场效应晶体管），其封装形式为 SOT-23。该器件专为高效能和高密度应用设计，广泛应用于开关电源、线性稳压器、电机驱动和周边电路等领域。UT3P06G-AE3-R 以其优越的导通电阻、快速的开关特性及优秀的热稳定性，成为现代电子设计中不可或缺的基础元件。

二、主要特点

1. 高导通性能：UT3P06G-AE3-R 的低导通电阻（R_DS(on)）保证了在导通状态下的低能量损耗和出色的电流处理能力，提高了系统的整体效率。

2. 良好的开关特性：该 MOSFET 具备快速的开关速度，适合于高频应用。在高开关频率下，能够有效降低开关损失，从而提升整体效率。

3. 耐高压能力：UT3P06G-AE3-R 可承受的高漏极-源极电压（V_DS）使其在高工作电压环境中依然能够可靠工作，非常适合需要高电压操作的应用场景。

4. 小型化封装：SOT-23 封装使得 UT3P06G-AE3-R 具备良好的空间效率，其小型化设计便于在空间有限的电路板上实现更复杂的设计。

5. 热稳定性：该器件采用专有的制造技术，具备较好的热管理能力，能够在高温环境下稳定工作，保证元件的长期可靠性。

三、应用领域

1. 开关电源：在开关电源电路中，UT3P06G-AE3-R 可用于电源转化的关键位置，凭借其低 R_DS(on) 和快速开关特性，提高转换效率，降低功耗。

2. 电机驱动：在直流电机和步进电机的驱动电路中，该 MOSFET 可作为开关元件，控制电机的启动、停止和调速效率。

3. LED 驱动：在 LED 照明和显示应用中，利用 UT3P06G-AE3-R 的快速开关能力，可实现精确的调光和开关控制。

4. 数码电子设备：在数码产品的电源管理模块中，该 MOSFET 被广泛应用于稳压电路和电源开关，实现高效能量转换和控制。

四、技术规格

• 最大漏极-源极电压 (V_DS): 30V
• 最大漏极电流 (I_D): 3A
• 导通电阻 (R_DS(on)): 25mΩ（在 V_GS = 10V 时）
• 栅极-源极电压 (V_GS): ±20V
• 工作温度范围 (T_j): -55°C 至 +150°C
• 封装形式: SOT-23

五、总结

UT3P06G-AE3-R 是一款出色的 N 通道 MOSFET，凭借其优越的性能优势和小巧的封装，极大地方便了电子设计师在各类应用中的使用。无论是在高功率转换还是高频开关应用中，该器件都能有效满足设计需求，帮助提升能源利用效率和系统性能。使用 UT3P06G-AE3-R，工程师能够在复杂多变的市场需求中，打造出更具竞争力的产品。