STWA48N60DM2
STWA48N60DM2参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 40A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 79 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 70nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±25V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3250pF @ 100V |
| 功率耗散（最大值） | 300W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247 长引线 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
STWA48N60DM2手册
STWA48N60DM2概述
STWA48N60DM2 产品概述
1. 产品简介
STWA48N60DM2 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能 N 型通道金属氧化物场效应管（MOSFET）。这款 MOSFET 以其卓越的电气性能和可靠性，广泛应用于高压开关、电源管理、逆变器和各种高功率电子稳压电路中。其最大漏源电压（Vdss）为 600V，适合用于那些要求严格的高压应用，同时能够承受连续的漏极电流（Id）高达 40A，极大满足了高功率设备对电流的需求。
2. 主要参数
- FET 类型: N 通道
- 技术: MOSFET（金属氧化物半导体）
- 漏源电压（Vdss）: 600V
- 连续漏极电流 (Id): 40A @ 25°C
- 最大 Rds On: 79毫欧 @ 20A, 10V
- Vgs(th)（门源阈值电压）: 5V @ 250µA (最大值)
- 栅极电压（Vgs）最大值: ±25V
- 输入电容（Ciss）: 3250pF @ 100V (最大值)
- 导通电阻（Rds(on)）: 79毫欧 @ 20A, 10V
- 栅极电荷(Qg): 70nC @ 10V (最大值)
- 功率耗散（Pd）: 300W (最大值, Tc)
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C (TJ)
- 封装类型: TO-247-3
3. 技术特性
STWA48N60DM2 在多个方面为电路设计人员提供了理想的解决方案：
高耐压能力: 该器件具备 600V 的漏源电压能力，使其适用于严苛的高电压应用场合。
低导通电阻: 79毫欧的最大导通电阻赋予器件优秀的传输效率，有助于在电流通过时减少能量损耗，降低发热量，从而提高整体系统的效能。
高功率处理能力: 最大功率耗散达 300W，能够保障在高负载条件下的可靠工作。
广泛的工作温度范围: -55°C 至 150°C 的温度适应性使得 STWA48N60DM2 能够在极端环境条件下放心使用，确保设备稳定性和可靠性。
4. 应用领域
STWA48N60DM2 特别适合于以下应用场景：
电源转换器: 在开关电源、邦定电源等设备中，扮演重要角色，以其高效率和低热量增加系统的整体效能。
电机驱动: 在逆变器和电动机驱动控制中，用于实现高效的电流管理和控制，确保系统在高负载情况下依然稳定。
消费电子产品: 包括电视、游戏设备等，利用其高电压和电流处理能力，提升产品性能和用户体验。
工业自动化: 在各种工业设备和机器中使用，能够经受住长时间工作的高要求环境，确保机器的连续运行能力。
5. 封装与安装
STWA48N60DM2 采用通孔安装的 TO-247-3 封装，长引线设计便于在更紧凑的电路板设计中实施。这种封装在散热性能上也表现突出，有助于在高功率应用中维持器件的热管理。
6. 结论
STWA48N60DM2 是一款出色的 MOSFET，具备高电压和高电流处理能力、低导通电阻及高功率耗散能力，适合各种高效能和高可靠性的电源和电机驱动应用。它的广泛应用前景和卓越特性，使其成为现代电子设计中不可或缺的解决方案之一。意法半导体作为制造商，凭借其优秀的品质和可靠性，为用户提供了强而有力的技术支持，是工程师选择高性能元器件的理想选择。