STW28N60DM2

STW28N60DM2 产品概述

引言

STW28N60DM2 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能 N 通道金属氧化物场效应管（MOSFET），具有额定漏源电压 600V，连续漏极电流 21A，和最大功率耗散能力 170W。凭借其优越的电气性能和可靠的工作特性，这款 MOSFET 被广泛应用于各种高压开关电源、逆变器、工业电源和电机驱动等领域。

主要特性

1. 电气性能：

   • 最大漏源电压（Vdss）为 600V，适合高压应用。
   • 具有 21A 的连续漏极电流（Id），确保能够承受较大的瞬时负载。
   • 导通电阻（Rds(on)）在 10V 驱动电压下，最大值为 160 毫欧（@ 10.5A），这意味着在开关状态下的能量损耗较低，提高系统的整体效率。
   • 栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为 5V（@ 250µA），便于系统设计选择和驱动电路匹配。

2. 高效能：

   • 在 10V 驱动电压下，栅极电荷（Qg）最大值为 34nC，这有助于降低开关损耗和提高开关频率。
   • 输入电容（Ciss）最大值为 1500pF（@ 100V），在高频应用中可以有效减少信号延迟。

3. 温度特性：

   • 器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，确保器件能够在极端环境下稳定运行。
   • 最大功率耗散可达到 170W（Tc），表明在适当散热的条件下，这款 MOSFET 适合在高功率场合使用。

4. 结构和封装：

   • STW28N60DM2 采用 TO-247-3 封装，此封装形式支撑良好的热管理和电气连接，适合通孔安装，确保在PCB上的应用更加便捷。
   • 考虑到广泛的市场需求和不同应用场景，该器件具有良好的兼容性和适应性。

应用场景

STW28N60DM2 的性能使其成为多个领域中的理想选择，包括但不限于：

• 开关电源：用于高效能开关电源中，提升整体能效，降低待机功耗。
• 逆变器：在太阳能系统和电动车辆中作为逆变器的开关元件，提供可靠的直流到交流转换。
• 电机驱动：在工业应用中的电机控制系统中，提供精准的调速及控制能力。
• 高压应用：如激光打标机、超声波清洗等需要高压及高功率控制的设备。

结论

STW28N60DM2 MOSFET凭借其高电压、高电流能力以及低导通电阻等优异特性，成为高功率和高压电源管理的优选解决方案。其广泛的应用能力和强大的适应性使其在当前快速发展的电子产品领域中占据了一席之地。无论是在工业、消费电子，还是在汽车电子等领域，STW28N60DM2 MOSFET都能助力实现更好的性能和能效，为客户提供了强大的市场竞争力。