功率耗散(最大值) | 60W(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1690pF @ 25V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 4.5 毫欧 @ 12A,10V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 17nC @ 4.5V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 90A(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
Vgs(最大值) | ±20V | 漏源电压(Vdss) | 30V |
FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
STL90N3LLH6 是由意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能 N 通道 MOSFET,该器件设计为表面贴装型,旨在满足广泛应用中的高效率、高功率需求。此产品具有优异的电气性能和热特性,适用于各种现代电源管理和负载开关设计。
STL90N3LLH6 采用 PowerFlat™(5x6)封装,这是一个紧凑型、薄型设计,确保良好的散热性能和高密度布线能力。该封装的设计提高了热管理能力,使得器件能在高负载条件下依然保持稳定,适合在空间受限的应用中使用。
此款 MOSFET 适合多种应用场景,包括但不限于:
STL90N3LLH6 的性能优势在于其低导通电阻和较高的最大漏极电流,能够有效减少能量损失,同时其高功率耗散能力则确保在设计时可以处理较高的功率需求。此外,该产品支持广泛的驱动电压,便于在不同电源系统中集成使用。
同时,STL90N3LLH6 由于其卓越的热稳定性,能够在极端温度下保持输出的一致性和可靠性,确保在各种苛刻条件下应用的成功和稳定性。
总而言之,STL90N3LLH6 是一款兼具高效能与多功能特色的 N 通道 MOSFET,适合当前市场上对低功耗、高可靠性和紧凑设计日益增长的需求。通过引入这一高性能组件,设计工程师将能够构建出更加高效和稳定的电子设备,满足现代应用的挑战。无论是电源管理,还是驱动控制,STL90N3LLH6 都是一个值得信赖的选择。