STL90N3LLH6 产品实物图片
STL90N3LLH6 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

STL90N3LLH6

商品编码: BM69416624
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
PowerFlat™(5x6)
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
表面贴装型-N-通道-30V-90A(Tc)-60W(Tc)-PowerFlat™(5x6)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
3.23
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.23
--
100+
¥2.69
--
750+
¥2.5
--
1500+
¥2.37
--
3000+
¥2.26
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

STL90N3LLH6参数

功率耗散(最大值)60W(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
安装类型表面贴装型不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1690pF @ 25V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)4.5 毫欧 @ 12A,10V不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)17nC @ 4.5V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)90A(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
Vgs(最大值)±20V漏源电压(Vdss)30V
FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1V @ 250µA

STL90N3LLH6手册

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STL90N3LLH6概述

STL90N3LLH6 产品概述

STL90N3LLH6 是由意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能 N 通道 MOSFET,该器件设计为表面贴装型,旨在满足广泛应用中的高效率、高功率需求。此产品具有优异的电气性能和热特性,适用于各种现代电源管理和负载开关设计。

1. 关键规格

  • 功率耗散(最大值): 60W(在结温 Tc 下)
  • 漏源电压(Vdss): 30V
  • 电流 - 连续漏极 (Id): 90A(在结温 Tc 下)
  • 导通电阻(Rds(on)): 在 10V Vgs 下为 4.5 毫欧,适用于 12A 的电流条件
  • 驱动电压(Vgs): 支持的最小值为 4.5V,最大值为 10V
  • 栅极电荷 (Qg): 在 4.5V 时最大为 17nC,这代表了在开关转态时栅极驱动电流的小需求,能够提高开关频率的性能
  • 工作温度范围: -55°C 至 150°C,适应恶劣的环境条件
  • 输入电容 (Ciss): 最大值为 1690pF @ 25V,确保在高频操作中的适应性

2. 封装与安装

STL90N3LLH6 采用 PowerFlat™(5x6)封装,这是一个紧凑型、薄型设计,确保良好的散热性能和高密度布线能力。该封装的设计提高了热管理能力,使得器件能在高负载条件下依然保持稳定,适合在空间受限的应用中使用。

3. 应用场景

此款 MOSFET 适合多种应用场景,包括但不限于:

  • DC-DC 转换器: 由于其低 Rds(on) 和高 Id,STL90N3LLH6 在电源转换和分配中能够提供高效的电流控制,从而提升整体电源的工作效率。
  • 电机驱动: 支持高电流的 STL90N3LLH6 可广泛应用于电机驱动电路中,提升电机工作效率,并降低功耗。
  • 负载开关: 作为负载开关使用时,产品低的导通电阻可确保负载在高效、稳定的条件下工作,从而提高系统整体性能。
  • 工业控制: 稳定性和宽工作温度范围使其适合需要高可靠性的工业控制和自动化设备。

4. 性能优势

STL90N3LLH6 的性能优势在于其低导通电阻和较高的最大漏极电流,能够有效减少能量损失,同时其高功率耗散能力则确保在设计时可以处理较高的功率需求。此外,该产品支持广泛的驱动电压,便于在不同电源系统中集成使用。

同时,STL90N3LLH6 由于其卓越的热稳定性,能够在极端温度下保持输出的一致性和可靠性,确保在各种苛刻条件下应用的成功和稳定性。

5. 总结

总而言之,STL90N3LLH6 是一款兼具高效能与多功能特色的 N 通道 MOSFET,适合当前市场上对低功耗、高可靠性和紧凑设计日益增长的需求。通过引入这一高性能组件,设计工程师将能够构建出更加高效和稳定的电子设备,满足现代应用的挑战。无论是电源管理,还是驱动控制,STL90N3LLH6 都是一个值得信赖的选择。