STL260N4F7
STL260N4F7参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 120A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.1 毫欧 @ 24A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 72nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5000pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 188W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerFlat™（5x6） |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
STL260N4F7手册
STL260N4F7概述
STL260N4F7 产品概述
产品简介
STL260N4F7 是一款高性能的 N 通道 MOSFET（绝缘栅场效应管），由意法半导体（STMicroelectronics）生产。该器件采用先进的 MOSFET 技术，设计用于高功率和高频率的开关应用，广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器以及电机驱动等领域。由于其优异的电气特性及可靠性，STL260N4F7 被广泛应用于工业、汽车、消费电子等多个领域。
基本规格
FET 类型与技术：STL260N4F7 为 N 通道 MOSFET，具备出色的开关性能和导通特性，适合处理高电流负载。
电气参数：
- 漏源电压 (Vds max)：40V，这使得器件可以应用于低压和中压电路。
- 连续漏极电流 (Id)：在 25°C 的工作环境下，该器件可支持高达 120A 的连续漏电流，这表明其具有良好的热管理能力和电流承载能力。
- 最大 Rds(on)：在 10V 的栅极驱动电压下，导通电阻可低至 1.1 毫欧（在 24A 时），显示出低导通损耗的特性。
- Vgs(th) (最大值)：栅源阈值电压可达 4V，这为 MOSFET 的驱动电路设计提供了灵活性。
电容特性：
- 输入电容 (Ciss)：在 25V 的条件下，输入电容达到最大 5000pF，对高频开关应用提供了良好的特性。
栅极电荷 (Qg)：在 10V 的栅源电压下，栅极电荷为 72nC，这标志着该器件在开启和关闭过程中较低的开关能耗。
功率耗散 (Pd max)：该器件的最大功率耗散为 188W，表明其非常适合于高功率应用，并且在设计过程中可以满足较大的热管理要求。
工作温度：STL260N4F7 的工作温度范围在 -55°C 至 175°C 之间，这为其在极端环境下的应用提供了广泛的适用性。
封装与安装 STL260N4F7 采用 PowerFlat™（5x6）封装设计，属于表面贴装型（SMD）元件，方便在自动化生产线上进行组装。该封装设计不仅能够有效降低安装空间，还能提高 thermal performance，增强器件在高功率条件下的可靠性。
应用领域 基于其卓越的电气性能和可靠性，STL260N4F7 适用于多种应用场景，包括但不限于：
- 电源管理：如 DC-DC 转换器、开关电源等，为电源设计提供极佳的效率与功率密度。
- 电机驱动：用于工业电机、步进电机控制等，实现高效电机驱动。
- 汽车电子：包括车载电源和LED驱动电路等，有助于满足现代汽车对电子元器件的高性能需求。
- 消费电子：在移动设备和家电中，提升产品的能效和可靠性。
总结 STL260N4F7 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，凭借其低导通电阻、高漏电流支持和宽温范围，成为许多高功率应用的理想选择。无论是在电源管理、电机驱动还是汽车电子领域，该器件都以其优异的性能和极好的可靠性而受到广泛青睐。结合其合理的封装设计和易于集成的特性，STL260N4F7 将为设计工程师提供更大的灵活性，满足各种现代电子设备的需求。