制造商 | STMicroelectronics | 系列 | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 |
包装 | 卷带(TR) | 零件状态 | 有源 |
FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 108A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 4毫欧 @ 54A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
Vgs(最大值) | ±20V | 功率耗散(最大值) | 94W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | PowerFlat™(5x6) | 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
漏源电压(Vdss) | 40V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 15nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1150pF @ 25V |
STMicroelectronics的STL110N4F7AG是一款专为汽车应用设计的高性能N沟道MOSFET,属于其著名的STripFET™ F7系列。该MOSFET具备一系列卓越的特性,使其能够满足现代汽车电气和电子设备日益增长的需求。
STL110N4F7AG的主要电气参数非常出色,包括:
此外,STL110N4F7AG的门阈电压(Vgs(th))最大为4V(@250µA),这确保在低电平开关时能更快达到导通状态,提升了开关频率和响应速度。
该元器件的功率耗散能力达到了94W(Tc),使其在高温和高功率的环境中应用时,具备良好的热管理能力。它的工作温度范围广泛,从-55°C到175°C,适合极端环境下的使用,比如汽车发动机舱等高温部位。
STL110N4F7AG采用PowerFlat™ 5x6封装,具有紧凑的尺寸和优良的散热特性。表面贴装(SMD/SMT)设计简化了生产工艺,使得该元件易于集成到现代车辆的 PCB 中。这种封装类型在提高电路密度的同时,也便于热管理,确保了各类组件之间的兼容性。
STL110N4F7AG广泛适用于多种汽车应用,例如:
作为一款汽车级(AEC-Q101)元器件,STL110N4F7AG在设计与制造过程中遵循严格的质量和性能标准,确保其在各种严苛环境下的可靠性。这使得其特别适合用于要求高安全性和耐久性的汽车电子产品。
STMicroelectronics的STL110N4F7AG是一款出色的汽车级N沟道MOSFET,其卓越的电气特性和热性能使其成为汽车电气系统中不可或缺的一部分。无论是在电源管理、马达驱动还是其他关键应用中,它都能提供可靠的性能,助力现代汽车向更高效、更智能的未来发展。