IGBT 类型 | 沟槽型场截止 | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 650V |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 20A | 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 40A |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 2V @ 15V,10A | 功率 - 最大值 | 115W |
开关能量 | 120µJ(开),270µJ(关) | 输入类型 | 标准 |
栅极电荷 | 28nC | 25°C 时 Td(开/关)值 | 19ns/91ns |
测试条件 | 400V,10A,22 欧姆,15V | 反向恢复时间 (trr) | 96ns |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 | 供应商器件封装 | TO-220 |
STGP10M65DF2 是意法半导体(STMicroelectronics)公司推出的一款高性能绝缘栅双极晶体管(IGBT),其主要适用于高压高频应用场景,尤其在电力电子和电动机驱动方面表现优异。这款器件符合沟槽型场截止设计,具备出色的开关性能和耐压能力,广泛应用于变频器、电源供应等领域。
电压与电流规格
导通压降
开关特性
输入特性
工作温度范围
封装与安装
STGP10M65DF2 的规格使其非常适合在以下几个典型应用中使用:
电动机驱动
电源转换器
焊接与加热应用
STGP10M65DF2 以其优秀的电气特性、广泛的工作温度范围、适应高压及高频应用的能力,成为电力电子领域一款极具竞争力的IGBT器件。凭借 STMicroelectronics 在半导体技术上的先锋地位,该元件不仅提升了系统的性能,还有效降低了能耗和物料成本,展示了其在现代工业中不可或缺的价值。
通过选择 STGP10M65DF2,设计师可以在电动机驱动、功率转换及相关领域中实现更高的效率及更可靠的性能,是推进未来智能制造和高效能电力系统的理想选择。