STGP10M65DF2 产品实物图片
STGP10M65DF2 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

STGP10M65DF2

商品编码: BM69416619
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
待确认
包装 : 
管装
重量 : 
-
描述 : 
IGBT管/模块 STGP10M65DF2 TO-220
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
6.87
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥6.87
--
100+
¥5.49
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述

STGP10M65DF2参数

IGBT 类型沟槽型场截止电压 - 集射极击穿(最大值)650V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)20A电流 - 集电极脉冲 (Icm)40A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)2V @ 15V,10A功率 - 最大值115W
开关能量120µJ(开),270µJ(关)输入类型标准
栅极电荷28nC25°C 时 Td(开/关)值19ns/91ns
测试条件400V,10A,22 欧姆,15V反向恢复时间 (trr)96ns
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3供应商器件封装TO-220

STGP10M65DF2手册

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STGP10M65DF2概述

STGP10M65DF2 产品概述

一、产品基本信息

STGP10M65DF2 是意法半导体(STMicroelectronics)公司推出的一款高性能绝缘栅双极晶体管(IGBT),其主要适用于高压高频应用场景,尤其在电力电子和电动机驱动方面表现优异。这款器件符合沟槽型场截止设计,具备出色的开关性能和耐压能力,广泛应用于变频器、电源供应等领域。

二、主要技术参数

  1. 电压与电流规格

    • 最大集射极击穿电压 (Vce): 650V
    • 最大集电极电流 (Ic): 20A
    • 集电极脉冲电流 (Icm): 40A
  2. 导通压降

    • 在额定条件下(15V栅极驱动电压,10A集电极电流),导通压降 (Vce(on)) 最大值为 2V。该值的优异性能保证了在高负载条件下,系统的效率和散热性能。
  3. 开关特性

    • 开关能量: 开通时的开关能量为 120µJ,关断时为 270µJ。
    • 反向恢复时间 (trr): 96ns,这表明该器件在切换频率高的场合下也能表现出良好的动态特性。
    • 开关延迟 (Td): 开与关延迟分别为 19ns 和 91ns,适合高频率应用,降低开关损耗。
  4. 输入特性

    • 栅极电荷 (Qg): 28nC,表明驱动电路的输入能力要求,这对于优化控制电路设计至关重要。
  5. 工作温度范围

    • 工作温度范围广泛,从 -55°C 至 175°C,适应严苛环境下的工作需求,保证了器件的可靠性。
  6. 封装与安装

    • 采用了 TO-220 封装形式,该封装设计便于散热和安装,适合通孔安装,能够满足多个应用场合的设计需求。

三、应用场景

STGP10M65DF2 的规格使其非常适合在以下几个典型应用中使用:

  1. 电动机驱动

    • 在变频器和伺服系统中,IGBT 可以有效地控制电动机的速度和转矩,优化电动机的性能。
  2. 电源转换器

    • 本器件在电力电子转换器(如 UPS、DC-DC 转换器等)中能够实现高效的电能转换,大幅提高系统的整体效率。
  3. 焊接与加热应用

    • IGBT 的高功率特性也使其能够有效支持摩擦焊、激光焊及感应加热等高功率密度的工业加热应用。

四、总结

STGP10M65DF2 以其优秀的电气特性、广泛的工作温度范围、适应高压及高频应用的能力,成为电力电子领域一款极具竞争力的IGBT器件。凭借 STMicroelectronics 在半导体技术上的先锋地位,该元件不仅提升了系统的性能,还有效降低了能耗和物料成本,展示了其在现代工业中不可或缺的价值。

通过选择 STGP10M65DF2,设计师可以在电动机驱动、功率转换及相关领域中实现更高的效率及更可靠的性能,是推进未来智能制造和高效能电力系统的理想选择。