STF28N60M2
STF28N60M2参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 24A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 150 毫欧 @ 12A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 37nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±25V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1370pF @ 100V |
| 功率耗散（最大值） | 30W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
STF28N60M2手册
STF28N60M2概述
STF28N60M2 产品概述
一、基本信息
STF28N60M2 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），该器件采用 TO-220-3 封装，广泛应用于电力电子和开关电源等领域。其关键参数包括最大漏源电压为 600V，连续漏极电流可达 24A，极低的导通电阻（Rds(on)）以及宽广的工作温度范围，使其成为高压、高功率应用的理想选择。
二、主要特性
高电压和电流承载能力： STF28N60M2 的最大漏源电压（Vdss）为 600V，能够在高压环境中稳定运行，同时，24A 的连续漏极电流（Id）确保其在高负载条件下具有良好的性能。这使得该 MOSFET 在电源管理和电机驱动等需要高电流和高电压的应用中表现出色。
低导通电阻： 在 10V 的栅极驱动电压下，STF28N60M2 的导通电阻（Rds(on)）在 12A 时最大仅为 150 毫欧。这意味着在长时间运行时，该器件的能量损耗会较小，从而降低了整体系统的热量生成，提高了效率。
灵活的栅极驱动： 该器件的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大为 4V（在 250µA 条件下测量），使其对不同驱动电压具有良好的兼容性。通过适当的驱动电压，该 MOSFET 可以快速响应开关信号，从而在高频应用中展现优异的表现。
卓越的热管理能力： STF28N60M2 的最大功率耗散为 30W（在封装结温 Tc 条件下），加上其工作温度范围为 -55°C 至 150°C（TJ），使得该器件在极端环境下的性能依然稳定，适合在高温或低温场合下使用。
优异的输入和输出特性： 其最大输入电容（Ciss）为 1370pF（在 100V 时测量），通过降低输入电容，STF28N60M2 可以实现更快的开关速度。这一特性使其特别适合高频开关电源和 PWM 控制应用。
三、应用领域
STF28N60M2 的特性使其在多个领域内具有广泛的应用潜力，包括：
开关电源：由于其高电压和高电流承载能力，这款 MOSFET 经常用于高效开关电源中，能够有效地将输入电压转换成所需的输出电压。
电机驱动：在直流（DC）和交流（AC）电机控制系统内，STF28N60M2 提供优异的开关性能和热管理能力，满足电动车辆和工业机器人等领域对电机驱动的需求。
光伏逆变器：在太阳能转换领域，该 MOSFET 常用于光伏逆变器，以实现高效的能量转换和利用。
电力管理：用于各种坡度的电力管理和分配电路，以调节、刺激和控制设备，以实现更高的效率。
四、总结
STF28N60M2 是一款集高电压、高电流和低导通电阻于一体的 MOSFET，适合在严格的电气和热环境中工作。凭借其优越的性能指标及广泛的应用领域，该器件为制造商提供了在电力电子设计中的突破性解决方案。无论是在开关电源、电机驱动还是其他高频应用中，STF28N60M2 都能够助力产品的高效和可靠运行，极大地满足市场对高效能、高可靠性产品的需求。