STF28N60DM2
STF28N60DM2参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 21A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 160 毫欧 @ 10.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 34nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±25V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1500pF @ 100V |
| 功率耗散（最大值） | 30W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
STF28N60DM2手册
STF28N60DM2概述
STF28N60DM2 产品概述
STF28N60DM2 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高性能 N 通道 MOSFET，广泛用于功率电子应用中。这款 MOSFET 具有较高的漏源电压（Vdss）和连续漏极电流（Id），使其在多种应用场合中表现出色，尤其是在高压和高电流条件下。
基本参数
STF28N60DM2 的主要参数包括：
漏源电压 (Vdss): 该器件的漏源电压为 600V，适合用于高压直流和交流电源的转换应用。600V 的额定电压使得它能够满足多种工业应用需求，尤其是在电机驱动、电源转换器和照明电源等领域。
连续漏极电流 (Id): 在 25°C 时，该器件能够提供最长可达 21A 的连续漏极电流，使其能够处理较重的负载，适合复杂的电力传输方案。
导通电阻 (Rds On): 在 10V 的栅源电压条件下，当漏极电流为 10.5A 时，最大导通电阻可达 160 毫欧。这一低导通电阻不仅降低了功率损耗，还有助于提高系统的整体效率。
栅极源电压 (Vgs): 该器件的栅极源电压最大可达 ±25V，适合在多种驱动电压条件下稳定工作。
输入电容 (Ciss): 在 100V 下，输入电容达到 1500pF，确保高频率开关特性良好，适合高频应用。
功率耗散 (Pd): 在工作温度 Tc 下，该器件具有最大功率耗散能力为 30W，这意味着它可以在保持较高工作效率的同时，有效控制热管理。
工作环境
STF28N60DM2 的工作温度范围为 -55°C 到 150°C，适合在极端条件下运行，包括工业、高温环境及军事应用。这一特性使得它能够满足不同工业标准和应用需求，提升了产品的适应性。
封装特色
STF28N60DM2 采用 TO-220FP 封装，具备优秀的散热性能，便于与散热器的配合使用。这一封装形式不仅保证了组件的机械强度，还能有效推动散热，确保在高功率操作下的稳定性。
应用场景
由于其优异的电气特性和适应环境，STF28N60DM2 可广泛应用于多个领域，其中包括：
开关电源：在电源变换和稳压电路中，该 MOSFET 能够提供高效的电能转换，降低能量损耗。
电机驱动：可以作为电机驱动电路中的开关器件，支持 DC、AC 电机的驱动，实现高效的能耗管理。
照明控制：在LED 照明及其他照明应用中，STF28N60DM2 可以帮助实现高效的亮度调节和功率管理。
家用电器：适合于各类电器中的电源管理设计，确保设备在高功率下的安全和可靠运行。
电力电子设备：在逆变器、整流器及其他电力电子系统中，STF28N60DM2 的高耐压和高电流传输特性使其成为理想的选择。
总结
STF28N60DM2 是一款设计精良、性能卓越的 N 通道 MOSFET，凭借其高电压、高电流、低导通电阻和广泛的工作温度范围，它非常适合用于现代电力电子应用。ST 的这一产品不仅在技术性能上展现出色，还因其出色的散热和封装设计，确保了在高要求工作环境下的可靠性和稳定性，是工程师们在设计电源管理与电机控制系统时非常推荐的组件选择。