STF14N80K5
STF14N80K5参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 800V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 445 毫欧 @ 6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 22nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 620pF @ 100V |
| 功率耗散（最大值） | 30W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
STF14N80K5手册
STF14N80K5概述
STF14N80K5 产品概述
一、产品概述
STF14N80K5是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高性能N沟道MOSFET，适用于各种高压和高效率电源应用。该器件具有优秀的电气特性和高度的可靠性，其漏源电压（Vdss）高达800V，连续漏极电流（Id）在25°C下可达到12A，极大满足了现代电子设备对电源元器件的严格要求。
二、关键特性
高电压和电流能力: 其800V的漏源电压和12A的连续漏极电流使该MOSFET能够处理高压和高电流的应用场合，特别适合于开关电源、逆变器及电动车辆的动力转换模块。
低导通电阻: 在6A的情况下，其最大导通电阻（Rds(on)）仅为445毫欧，极大地降低了导电损耗，提高了工作效率，特别是在高频开关条件下更显其优势。
宽工作温度范围: STF14N80K5的工作温度范围为-55°C至150°C，使其能够在极端环境条件下稳定工作，对于工业和汽车应用非常重要。
高栅极电荷效率: 该MOSFET的栅极电荷（Qg）最大值为22nC（在10V下测得），这意味着其驱动损耗较低，适合于高频率的切换操作。
良好的输入电容特性: 输入电容Ciss的最大值为620pF（在100V下测得），这一特性有助于快速响应，从而实现高频操作，减少开关损耗。
封装类型: 采用TO-220FP封装，便于散热管理，同时方便于现代自动化生产线的大规模集成。
三、应用场景
STF14N80K5的特性使其广泛应用于以下领域：
开关电源: 在各种AC-DC或DC-DC转换器及电源管理单元中，STF14N80K5可作为主开关元件，提高变换效率，降低待机功耗。
逆变器: 在太阳能逆变器和电动车辆逆变系统中，高压和高效能的特点使其成为首选组件。
电机驱动: 在伺服和步进电机驱动中，凭借其快速开关能力和低导通损耗，能够实现高效的运动控制。
工业控制: 在各类工业设备的控制电路中，STF14N80K5能够在高温和高压力环境下稳定工作，确保设备的可靠性和稳定性。
电动工具: 由于其适应高频、高电压的特性，这款MOSFET适用于数码电动工具，帮助提升工作效率和续航能力。
四、总结
STF14N80K5是一款高性能N沟道MOSFET，凭借其800V的额定电压、12A的连续电流、低导通电阻以及宽广的工作温度范围，成为各类高压应用场合的理想选择。无论是在电源、逆变器、工业控制还是电动工具中，STF14N80K5都能提供优越的性能和可靠性，帮助工程师设计出更高效、稳定和耐用的电子设备。通过其先进的制造工艺和意法半导体的品牌保障，STF14N80K5将在现代电子领域继续发挥重要作用。