功率(Pd) | 1.4W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 77pF@15V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 41mΩ@10V,5.8A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 9.5nC@15V |
漏源电压(Vdss) | 30V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 820pF@15V | 连续漏极电流(Id) | 5.8A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.4V@250uA |
NCE3400是一款高性能的N沟道金属氧化物场效应管(MOSFET),其设计优先考虑了功率管理和开关应用。该器件的额定功率为1.4W,最大耐压为30V,持续电流输出能力达到5.8A。作为SOT-23(SOT-23-3)封装的产品,NCE3400非常适合各种电子设备,尤其是在空间受限的应用场合。
高电流承载能力:NCE3400的最大持续电流可达5.8A,能够满足高负载应用的需求。在需要提供稳定功率或进行高频操作的系统中其表现尤为突出。
较高的耐压:该MOSFET的最大耐压为30V,适用于常见的中低压电源管理及开关应用。这使得NCE3400在多种电子电路中能够保证安全运行,防止因过压引起的损坏。
小型封装:SOT-23封装使得NCE3400具有很小的体积和较轻的质量,这对于现代电子产品特别重要,能够有效提高设计的紧凑性和便携性。
优越的导通电阻:NCE3400在导通状态下表现出低导通电阻(R_DS(on)),这意味着它在导电时能有效降低功耗,并减少热量产生。这对于高效率电源设计至关重要,特别是需要长时间连续工作的设备。
快速开关特性:MOSFET设计理念使得该器件能够在极短的时间内从关闭状态切换到开启状态,反之亦然。这种快速响应能力非常适合现代开关电源应用和脉冲信号处理。
NCE3400作为一款多功能的MOSFET,广泛应用于以下领域:
开关电源:能效及功率密度是开关电源设计中极为重要的因素,NCE3400的低导通电阻及高电流承载能力,使其成为理想的开关元件。
电机驱动电路:在直流电机控制和步进电机驱动系统中,NCE3400的高开关频率和高电流处理能力使其得以高效地控制电动机。
LED驱动电源:由于其高效能和良好的导通特性,NCE3400在LED驱动和照明应用中表现优异,用以替代传统的开关器件,提升光源效率。
数码产品:随着电子产品向小型化和高集成度发展,NCE3400的SOT-23封装特别适合于智能手机、平板电脑等便携 electrónico产品中的电源管理和信号处理电路。
功率放大器:在音频放大和射频应用中,NCE3400可以被用作主开关以提升功放的效率和稳定性。
NCE3400是一款多功能的N沟道MOSFET,具备优异的性能与可靠性,适合各种应用场合。凭借其高电流承载能力、优质的传导特性和小型封装,在多个行业中具有广泛的市场需求。无论是在高效率的开关电源设计,还是在复杂电机控制系统中,NCE3400的表现都将助力工程师实现更高效的电路设计。通过采用NCE3400,设计人员能够有效提升产品的性能,降低功耗,并增强系统的整体稳定性和安全性。