IRFP26N60LPBF
IRFP26N60LPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 26A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 250 毫欧 @ 16A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 180nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5020pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 470W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
IRFP26N60LPBF手册
IRFP26N60LPBF概述
IRFP26N60LPBF 产品概述
产品名称: IRFP26N60LPBF
类型: N通道MOSFET
封装类型: TO-247-3
供应商: VISHAY（威世）
一、产品背景
MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是频繁应用于现代电子设备中的一种场效应晶体管，因其优异的开关特性、高输入阻抗和低导通损耗，而成为电源管理、逆变器、马达驱动和其他功率电子应用中的首选器件。IRFP26N60LPBF 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，具备600V的漏源电压（Vdss）和26A的连续漏极电流（Id@Tc），因而适用于高电压和高电流的应用场合。
二、关键参数
漏源电压 (Vdss): 最大600V，能够承受高达600V的电压，使其适合在高压电源系统中工作。
连续漏极电流 (Id@Tc): 最大26A，允许在特定的温度条件下承载更高的电流，适用于需要大电流的场合。
导通电阻 (Rds(on)): 最大250毫欧，在10V的驱动电压下对应16A时，这一低阻抗设计显著减少了在导通状态下的功率损耗。
门栅阈值电压 (Vgs(th)): 最大5V@250µA，适合低电压驱动，利于与微控制器等低电压设备的兼容。
输入电容 (Ciss): 最大5020pF@25V，这一较大的输入电容值提供了良好的表现，缓解了在高频开关时的干扰。
栅极电荷 (Qg): 最大180nC@10V，较低的栅极电荷使得开关速度快，从而提高了整体的效率。
工作温度范围: -55°C至150°C的工作温度规格使其可靠性极高，适应广泛的工业应用和恶劣环境。
功率耗散: 最大470W@Tc，强大的散热能力使其在高功率条件下也能可靠工作。
三、应用领域
IRFP26N60LPBF 广泛用于以下应用：
- 电源管理: 在逆变器和DC-DC转换器中作为开关元件，提升能量转换效率。
- 马达驱动: 用于控制电机驱动器，支持门控调节，应用于风扇和泵等设备中。
- 工业设备: 适用于高温高压环境的工业控制设备，提高系统的耐用性和稳定性。
- 消费电子: 在高效电源适配器和充电器中作为主要开关元件，优化能耗。
- 汽车电子: 能够承受高电压和高温的环境，适合用于电动汽车的功率转换系统。
四、产品利弊分析
优势:
- 高电压和高电流能力，适用于多种苛刻应用场合。
- 低导通电阻，不仅有效提高了效率，降低了热量产生，还缩短了电路的响应时间。
- 宽广的工作温度范围以及优良的功率耗散能力，增强了产品在严苛环境下的适用性。
劣势:
- 尽管具备强大的开关性能，但在高频应用中较大的输入电容可能造成一定的速度限制。
- 工作的最大温度和电流条件下需要适当的散热解决方案，以避免器件损坏。
五、总结
IRFP26N60LPBF 是一款结合了高电压、高电流和低导通电阻特点的 N 通道 MOSFET，旨在满足各种高性能电子应用的需求。其优秀的热性能和广泛的工作范围让其成为绝佳的选择，尤其是在高功率和高压的应用场合中。凭借其创新的设计和强大的功能，IRFP26N60LPBF 定位于现代电子技术的前沿，是工程师们在设计高效、可靠的电子设备时不可或缺的组件之一。