DTA113ZUAT106 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DTA113ZUAT106

商品编码: BM69416441
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
UMT3
包装 : 
编带
重量 : 
0.025g
描述 : 
数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个PNP-预偏置 SOT-323
库存 :
315(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.488
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.488
--
200+
¥0.163
--
1500+
¥0.102
--
3000+
¥0.0701
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

DTA113ZUAT106参数

制造商Rohm Semiconductor包装卷带(TR)
零件状态不適用於新設計晶体管类型PNP - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)33 @ 5mA,5V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值)500nA安装类型表面贴装型
封装/外壳SC-70,SOT-323供应商器件封装UMT3
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA电压 - 集射极击穿(最大值)50V
电阻器 - 基极 (R1)1 kOhms电阻器 - 发射极 (R2)10 kOhms
频率 - 跃迁250MHz功率 - 最大值200mW
基本产品编号DTA113

DTA113ZUAT106手册

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DTA113ZUAT106概述

DTA113ZUAT106 产品概述

1. 产品简介

DTA113ZUAT106 是由 Rohm Semiconductor 制造的一款高效能,适用于各种电子应用的PNP型数字晶体管。该器件采用SC-70/SOT-323封装,通常适合用于空间有限的形式因子的应用。同时,这款晶体管设计为预偏置型,从而保证其在低偏置条件下也能正常工作,提供高可靠性的电流增益。

2. 基础参数

DTA113ZUAT106 的基本电气特性参数如下:

  • 类型: PNP - 预偏压
  • 最大集电极电流 (Ic): 100mA
  • 最大集射极击穿电压 (Vce): 50V
  • 供电功率 (最大): 200mW
  • 频率响应: 250MHz
  • DC 电流增益 (hFE): 在 5mA 和 5V 条件下,最小值为 33。此参数表明,在给定条件下,输入电流的增益效果强大,为后续电路提供可靠的信号放大能力。
  • 饱和电压降 (Vce): 在 500µA 和 10mA 条件下,最大饱和压降为 300mV,可以用于降低功耗并提高效率。
  • 集电极截止电流 (Ic, 最大值): 500nA,这表明在不导通状态下,器件的漏电流非常小,有助于提高电路的总体性能。

3. 应用场景

DTA113ZUAT106 被广泛应用于许多电子产品中,包括但不限于:

  • 数字电路: 其预偏压特性使其成为数字逻辑电路中的理想选择,能够快速切换并处理信号。
  • 低功耗放大器: 由于其高增益与较低的功耗特性,适用于低功耗信号放大方案。
  • 传感器应用: 在许多传感器与接口电路中,DTA113ZUAT106可用于信号调理,并有效防止信号衰减。
  • 开关应用: 由于其高电流承载能力,适合用作小型开关或继电器驱动器。

4. 封装与设计

DTA113ZUAT106 的封装类型为SOT-323(UMT3),该封装提供高密度的引脚布局,适合表面贴装技术(SMT)。其小型化的设计使其能够应用于各种便携式电子设备中,为设计工程师提供更大的灵活性和设计自由度。

5. 设计考虑

在使用 DTA113ZUAT106 时,设计师应考虑以下几点:

  • 基极电阻 (R1): 通常在选择基极电阻时,建议值为1kOhms,根据具体应用场景的需求可以进行微调,以达到最佳的工作点。
  • 发射极电阻 (R2): 同样,10 kOhms的发射极电阻是常用的选择,在增益和频率响应上达到一个良好的平衡。
  • 散热管理: 虽然DTA113ZUAT106 的最大功率为200mW,但在高负载情况下仍然需要合理的散热设计。

6. 结论

总体而言,DTA113ZUAT106 是一款功能强大且灵活的PNP型数字晶体管,适合多种应用场景,同时凭借其紧凑的封装和良好的性能特征,能够很好地满足现代电子设计对空间和功耗的要求。作为罗姆公司的一款优质产品,DTA113ZUAT106 无疑是设计师在制定系统解决方案时的上佳选择。