2SCR375P5T100Q 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

2SCR375P5T100Q

商品编码: BM69416329
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
MPT3(SOT-89)
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
三极管(BJT) 500mW 120V 1.5A NPN TO-243AA
库存 :
4900(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
1.09
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.09
--
50+
¥0.84
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述

2SCR375P5T100Q参数

晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)(最大值)1.5A
电压 - 集射极击穿(最大值)120V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 80mA,800mA
电流 - 集电极截止(最大值)1µA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)120 @ 200mA,5V
功率 - 最大值500mW频率 - 跃迁200MHz
工作温度150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-243AA供应商器件封装MPT3

2SCR375P5T100Q手册

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2SCR375P5T100Q概述

产品概述:2SCR375P5T100Q

1. 产品背景 2SCR375P5T100Q是一款由ROHM(罗姆)公司生产的高性能NPN晶体管,专为高频和高电流应用设计。随着电子设备功能复杂化,对功率和频率的要求越来越高,2SCR375P5T100Q正是为了满足这些需求而开发。其适用于各种竞争激烈的应用领域,例如开关电源、线性稳压器、放大器及其他功率转换设备。

2. 基本参数

  • 晶体管类型:NPN
  • 集电极最大电流(Ic):1.5A
  • 集射极击穿电压(Vceo):120V
  • 饱和压降(Vce(sat)):300mV(在 Ib = 80mA 和 800mA 时)
  • 集电极截止电流(ICBO):1µA(最大值)
  • 直流电流增益(hFE):120(在 Ic = 200mA,Vce = 5V 时的最小值)
  • 功率最大值:500mW
  • 频率跃迁:200MHz
  • 工作温度(TJ):可达150°C
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装类型:TO-243AA/MPT3(SOT-89)

3. 应用场景 2SCR375P5T100Q适用于多种高效能需求的应用场景,包括:

  1. 开关电源:其高电流和电压承受能力使其非常适合用在开关电源电路,实现高效的能量转换。
  2. 线性稳压器:利用其稳定的增益,确保输出端的电压稳定,能够支持各类电子设备的稳定运行。
  3. 功率放大器:在信号放大器中用作输出级,兼具高频特性与稳定性,确保信号传输质量。
  4. 开关应用:可以高效地控制负载,适应快速开关需求,适用于各种工业和消费类设备。

4. 性能优势

  • 高耐压能力:120V的击穿电压使其适用于高电压电路,增加了其应用的灵活性。
  • 高集电极电流:最大1.5A的集电极电流能力,能够满足各种大功率需求的应用。
  • 低饱和压降:300mV的饱和压降使其在开关状态下功耗更低,提高了整体效率。
  • 良好的频率特性:200MHz的跃迁频率,使其在高频应用中表现出色,适合高频开关与信号传递。
  • 广泛的工作温度范围:最高可达150°C的工作温度150°C,增加了在恶劣环境下的适用性。

5. 设计考虑 在设计基于2SCR375P5T100Q的电路时,需要考虑以下几点:

  • 热管理:尽管其功率最大值为500mW,但在高负载情况下,合理的散热设计是必要的,以防止过热导致性能下降或元件损坏。
  • 驱动电流的选择:在设计驱动电路时,根据不同的负载要求合理设置Ib,以确保在工作状态下Vce保持在可接受的范围内,提高电路的稳定性。
  • 电磁干扰:由于其高频特性,在某些应用中需要注意EMI(电磁干扰)的产生,必要时需采取屏蔽或滤波措施。

6. 结论 2SCR375P5T100Q是ROHM推出的一款高效能NPN晶体管,凭借其优异的电气性能和稳定性,成为高频、高功率应用中的理想选择。其广泛的应用潜力加上可靠的性能,使其在电子产品设计领域具有重要地位。设计师可以放心地将其集成到各类电子设备中,为产品的性能提供强有力的支撑。