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IRF840ASTRLPBF
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
D2PAK
包装 :
编带
重量 :
2g
描述 :
场效应管(MOSFET) 3.1W；125W 500V 8A 1个N沟道 TO-263-2
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
7.56按整 :
圆盘(1圆盘有800个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥7.56
--
100+
￥6.41
--
8000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRF840ASTRLPBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 500V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 8A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 850mΩ @ 4.8A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 3.1W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 850 毫欧 @ 4.8A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 38nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1018pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 3.1W（Ta），125W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | D2PAK | 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
IRF840ASTRLPBF手册
IRF840ASTRLPBF概述
IRF840ASTRLPBF 产品概述
产品概述
IRF840ASTRLPBF 是一款高性能N沟道 MOSFET，由著名的威世半导体 (VISHAY) 提供。它是一种广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动应用中的高压和高效率的场效应管。
关键特性
- 漏源电压（Vdss）: 最大可承受500V的漏源电压，使其在高电压应用中具有广泛的适用性。
- 连续漏极电流（Id）: 在25°C环境下，IRF840的连续漏极电流可达到8A，能够满足许多中到高功率应用的需求。
- 栅源极阈值电压: 该MOSFET的栅源极阈值电压（Vgs(th)）为4V @ 250µA，确保较低的驱动电压要求，能够在较小的控制电压下实现高效开关。
- 漏源导通电阻（Rds On）: 在4.8A、电压为10V的条件下，导通电阻低至850毫欧，效率高，热效应小，有利于电源效率提升。
- 功率耗散能力: 在25°C环境下，其最大功率耗散为3.1W，而在结温Tc下可达到125W，显示其在高功率场合下的稳定性。
- 工作温度范围: 能在-55°C至150°C的广泛温度范围下工作，确保其在各种极端条件下的可靠性。
- 封装类型: 产品采用D2PAK封装，适合表面贴装，便于在各种电路板上进行安装。
应用领域
IRF840ASTRLPBF广泛应用于以下领域：
- 开关电源: 由于其高效率和低导通电阻，该MOSFET适用于高频开关电源转换，提升整体能效。
- 电机驱动: 可以用于电机控制电路中，例如无刷直流电动机和交流电动机驱动器，能够提供稳定的驱动电流。
- DC-DC转换器: 在高效DC-DC转换、降压和升压转换器中，IRF840也表现出色，能够在快速开关条件下保持低能量损耗。
- 自动化与工业控制: 在各种自动化设备、工业设备中，它的可靠性和承压能力使其成为理想选择。
性能优势
IRF840ASTRLPBF以其卓越的电气特性和机械可靠性，在业界广受好评。其高耐压和高电流承载能力使其在要求高功率和高电压的电路设计中表现得尤为突出。投资该MOSFET的设计团队可以大大降低电路的热损失，提高能源利用率，进而降低运营成本。
结论
作为威世半导体的一款旗舰N沟道MOSFET，IRF840ASTRLPBF不仅结合了高耐压、高电流和低导通电阻等诸多优点，同时还具备可靠性和多种应用场合的适应能力。因此，对于需要高效和可靠的功率管理解决方案的设计工程师和制造商来说，IRF840无疑是值得推荐的重要元器件选择。