DTC014EUBTL 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DTC014EUBTL

商品编码: BM69416209
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
UMT3F
包装 : 
编带
重量 : 
0.025g
描述 : 
数字晶体管 200mW 50V 50mA 1个NPN-预偏置 SOT-323-3
库存 :
417(起订量1,增量1)
批次 :
5年内
数量 :
X
0.425
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.425
--
200+
¥0.141
--
1500+
¥0.0885
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

DTC014EUBTL参数

频率 - 跃迁250MHz电阻器 - 发射极 (R2)10 kOhms
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)50mA不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)150mV @ 500µA,5mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)35 @ 5mA,10V功率 - 最大值200mW
晶体管类型NPN - 预偏压电阻器 - 基极 (R1)10 kOhms
电压 - 集射极击穿(最大值)50V安装类型表面贴装型

DTC014EUBTL手册

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DTC014EUBTL概述

DTC014EUBTL 产品概述

一、产品简介

DTC014EUBTL 是一款由日本知名半导体制造商 ROHM(罗姆)推出的数字晶体管,属于NPN类型,采用预偏压设计,主要应用于各种低功率电子设备和电路中。该产品适用于多种场合,如开关控制、信号放大及相关数字电路,尤其是在对功耗和体积要求较高的应用情境下表现优异。

二、产品规格

  • 频率跃迁: 250 MHz
  • 集电极最大电流 (Ic): 50 mA
  • 饱和压降 (Vce): 在500 µA和5 mA时最大150 mV
  • DC电流增益 (hFE): 最小35在5 mA、10 V下
  • 最大功率: 200 mW
  • 集射极击穿电压 (Vce): 最大50 V
  • 电阻器:
    • 发射极电阻 (R2): 10 kΩ
    • 基极电阻 (R1): 10 kΩ
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 封装类型: UMT3F(SOT-323-3)

三、特点与优势

DTC014EUBTL的设计旨在提供高效率和卓越性能。其250 MHz的频率跃迁能力使其在高频信号应用中表现优越,非常适合需要快速开关或调制的场合。此外,最大50 mA的集电极电流和200 mW的功率处理能力确保了其在多种环境下应用的灵活性。

  • 低功耗设计: 最大饱和压降仅150 mV,使其在驱动负载时能够有效降低能量损耗,适合于对能效要求高的电路应用。
  • 高增益: DC电流增益hFE的最小值为35,支持信号有效放大,具有良好的放大特性,能够在小信号环境中提供良好的性能。
  • 紧凑的封装: UMT3F(SOT-323-3)封装设计于小型电子设备中非常实用,适合现代高密度电路的设计需求,使得开发者能够在不妥协功能的前提下节省空间。
  • 表面贴装型: 方便 automatische 组装,适合大规模生产,提高了生产效率。

四、应用领域

DTC014EUBTL适用于多种应用场景,尤其在以下领域表现突出:

  1. 消费电子产品: 在智能手机、平板电脑等小型电子设备中,作为开关或放大器使用,能够有效延长电池寿命。
  2. 汽车电子: 在车载设备中,作为信号处理模块,有助于降低功耗和提升车辆电气系统的性能。
  3. 工业控制: 在传感器和执行器控制电路中用作开关元件,提高控制精度和响应速度。
  4. 通信设备: 能够在各种频率下稳定工作,适合用于RF(射频)讯号传输。

五、总结

综上所述,DTC014EUBTL数字晶体管具备高频、高增益和低功耗等优异特性,广泛适用于多种电子设备和电路中。面对此类市场需求的日益增加,ROHM(罗姆)始终致力于为客户提供性能卓越的半导体元件,以满足不断变化的技术要求与应用场景。在现代电子科技迅猛发展的背景下,DTC014EUBTL无疑是设计工程师们追求产品性能与效率的理想选择。