晶体管类型 | NPN - 预偏压 + 二极管 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电阻器 - 基极 (R1) | 10 kOhms | 电阻器 - 发射极 (R2) | 10 kOhms |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 30 @ 5mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 500µA,10mA |
频率 - 跃迁 | 250MHz | 功率 - 最大值 | 200mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
供应商器件封装 | UMT3 |
DTC114EU3T106 是一款由日本 ROHM(罗姆)半导体公司推出的数字晶体管,采用 NPN 型结构,具有预偏压功能,广泛应用于低功耗开关、电源管理和信号调理等电子电路中。此器件由于其高性能和小巧的封装,尤其适合在便携式设备、消费电子、以及其他空间受限的应用场景中使用。
DTC114EU3T106 的主要规格如下:
结构类型:NPN - 预偏压 + 二极管
该结构类型使得该器件在开启和关闭时响应迅速,适合高速开关应用。
最大集电极电流 (Ic):100mA
在最大集电极电流下,DTC114EU3T106 能够保证正常的工作状态,且不易出现过载问题。
基极电阻 (R1) 和 发射极电阻 (R2):均为 10 kΩ
这种设计能够提供稳定的电流增益,并保证在不同工作条件下的可靠性。
直流电流增益 (hFE):最小 30 @ 5mA,5V
在提供高增益的同时,这一特性使得器件在较低的驱动电流下依然能够实现良好的放大效果,降低了功耗。
饱和压降 (Vce):最大 300mV @ 500µA,10mA
降低了开关损耗,提高了整体效率,是兼顾效能和耗能的重要指标。
频率 - 跃迁:250MHz
高达 250MHz 的跃迁频率,能够满足高速数字电路中对开关速度的要求,非常适合用于高频应用。
最大功率:200mW
较高的功率限制使得该器件在多种工作条件下均能够稳定工作,而且具备良好的热特性。
安装类型:表面贴装型
DTC114EU3T106 采用表面贴装技术(SMD),为现代电子产品设计提供了极大的灵活性,便于在紧凑的PCB布局中安装。
封装类型:SOT-323 (UMT3)
此小型封装适合于空间受限的应用场合,能够有效减小整体电子设备的体积。
DTC114EU3T106 由于其低功耗、高增益特性以及小巧的封装,适用于以下场景:
便携式设备:在移动通信、个人电子产品等领域中,DTC114EU3T106 的小巧和高效能够实现更长的电池寿命。
消费电子:如音频设备、遥控器等,这些应用对功耗和响应速度有较高要求,DTC114EU3T106 能够很好地满足。
开关电源:在电源转换和管理中,DTC114EU3T106 的预偏压特点提供了良好的开关性能,适用于开关电源的控制与管理。
信号调理电路:利用其高增益和频率特性,DTC114EU3T106 可以用于小信号的放大与处理。
结合其优越的电气性能和紧凑的封装,DTC114EU3T106 不仅适用于传统的电子设计,也能满足现代快速发展的消费电子市场对高性能、高效率元器件的需求。ROHM(罗姆)公司凭借其卓越的技术背景和研发能力,确保了 DTC114EU3T106 的高品质及可靠性,为设计工程师提供了一个卓越的选择。