功率(Pd) | 83W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 14pF@40V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 8.5mΩ@10V,5V |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 38nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 80V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.871nF@40V | 连续漏极电流(Id) | 50A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3.4V@250uA |
在当今电子元件日益复杂的时代,功率器件的性能和效率对于现代电路设计至关重要。AON7280是一款由AOS公司提供的高性能N-MOSFET,专为宽电压和高电流应用而设计。其优异的电流承载能力和低导通电阻使其成为电源管理、电动汽车、DC-DC转换器以及其他高效能、高功率应用的理想选择。
AON7280的核心技术参数包括:
这些参数使得AON7280能够在高电压和高电流的环境中稳定工作,降低了热量的产生并提高了能效。
AON7280采用DFN3x3 EP封装,这种封装不仅节省了空间,还提供了优异的散热性能。封装尺寸为3.3mm x 3.3mm,适合用于紧凑型的电路板设计。同时,增强的散热设计使得AON7280更加适用于高功率密度的应用场景。
AON7280的特性使其广泛应用于多个领域:
AON7280是一款性能卓越的N-MOSFET,它结合了高工作电压、高导电能力和良好的热管理特性,适合用在各种高功率和高效能的应用中。无论是在电源管理还是在电动汽车和马达驱动电路设计中,AON7280都能提供理想的解决方案,助力电子产品的小型化与高效化。随着电子技术和市场需求的不断发展,选择高品质的功率器件如AON7280将是实现卓越性能和提高产品竞争力的关键。