BSC093N04LSGATMA1

产品概述：BSC093N04LSGATMA1

BSC093N04LSGATMA1 是英飞凌公司（Infineon）推出的一款高性能 N 通道绝缘栅场效应管（MOSFET）。本产品采用先进的 MOSFET 技术，具有优异的电气性能和功率处理能力，适合各种高效能和高密度的功率管理应用。

主要技术参数：

1. 基本电气特性：

   • 漏源电压（Vdss）：该产品能够承受高达 40V 的漏源电压，这使其在多种应用中具备广泛的适用性，包括电机驱动、电源转换和其他功率管理电路。
   • 连续漏极电流（Id）：在 25°C 环境温度下，产品的最大连续漏电流达 13A，而在更好的冷却条件下（如 Tc=25°C），其最大电流可达 49A。这一特性使得该 MOSFET 能够处理大功率负载。

2. 导通电阻：

   • 在 10V 的栅源电压下，当漏电流达到 40A 时，产品的最大导通电阻为 9.3 毫欧，这意味着其在开启状态下的能量损耗非常低，提高了功率转换的效率。

3. 门极特性：

   • 阈值电压 (Vgs(th))：在 2V @ 14µA 的条件下，该 MOSFET 的最大阈值电压，这确保了其在较低的控制电压下也能够快速开启。
   • 栅极电荷 (Qg)：在 10V 的栅源电压下，该产品的门极电荷最大值为 24nC，表示它具有较低的栅驱动能量需求，有利于提高开关速度和降低损耗。

4. 输入电容：

   • 在 20V 的条件下，输入电容 (Ciss) 的最大值为 1900pF，这降低了切换过程中对栅驱动信号的负担，提高了驱动器的工作效率。

5. 功率耗散：

   • 在环境温度下（Ta），最大功率耗散为 2.5W，而在较好的散热条件下（Tc），最大功率耗散可达 35W，证明其出色的热管理能力。

6. 工作范围：

   • 本产品的工作温度范围广泛，从 -55°C 到 150°C（TJ），这使其在极端环境中仍能保持稳定的工作性能，适应各种工业和汽车应用。

封装与安装

BSC093N04LSGATMA1 采用 8-Power TDFN 封装（PG-TDSON-8-5），具备小型化和优良的热管理特性，适合表面贴装工艺。这种封装设计在满足电气性能的同时，还提供了优越的PCB空间利用率，便于高度集成的电路设计。

应用领域

BSC093N04LSGATMA1 适用于以下领域：

• 电源转换（DC-DC 转换器、高效开关电源）
• 电机驱动（无刷直流电机、步进电机控制）
• 汽车电子（电动驱动系统、充电桩、车载电源）
• 工业自动化（伺服驱动、逆变器）

总结

BSC093N04LSGATMA1 是一款设计先进、性能优越的 N 通道 MOSFET，凭借其极低的导通电阻、高温工作能力和优良的散热特性，成为高效能功率管理解决方案的重要选择。凭借其广泛的应用领域，该 MOSFET 将为用户提供可靠的性能和高效的能量管理，能够满足现代电子设备对功率和效能的苛刻要求。