功率(Pd) | 1W | 商品分类 | 场效应管(MOSFET) |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 180mΩ@10V,1.5A | 漏源电压(Vdss) | 60V |
类型 | 1个P沟道 | 连续漏极电流(Id) | 1.7A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@1mA |
UTC UT2955G-AA3-R 是一款高性能的 P 沟道场效应管(MOSFET),专为需要可靠高效开关和放大电路的应用而设计。它具有 1W 的功率承受能力,额定电压为 60V,最大连续电流为 1.7A。这款器件采用 SOT-223 封装,具备紧凑的尺寸和良好的热管理性能,适合各种空间受限的电子产品中使用。
高电压和电流能力: UT2955G-AA3-R 具备最高 60V 的漏源电压,能够满足大多数中低电压电源开关和线性放大应用,提供了足够的余量以应对瞬时过压情况。此外,1.7A 的连续电流能力确保了设备在高负载条件下的稳定性和可靠性。
低导通电阻: 该 MOSFET 采用先进的半导体技术,具有较低的 RDS(on) 值,这意味着在导通状态下的电能损耗较低,从而提高了整体系统的能效,减少了发热。
快速开关特性: UT2955G-AA3-R 支持较快的开关频率,适合于高频率信号的处理和控制。这使得其在开关电源、PWM(脉冲宽度调制)控制以及马达驱动电路等应用中表现优异。
极佳的热性能: SOT-223 封装不仅体积小巧,而且设计优良,有助于提升散热性能,使得 UT2955G-AA3-R 在高功率应用中仍可以保持良好的工作温度,确保器件的长期稳定性与可靠性。
支持多种应用: 该产品的设计考虑到了多种应用需求,适用于 DC-DC 转换器、开关电源、负载开关、信号开关和线性放大器等电路。此外,在消费电子、工业控制和通信设备等领域同样具有良好的适应性。
UTC UT2955G-AA3-R 适合广泛的应用领域,包括但不限于:
总的来说,UTC UT2955G-AA3-R 是一款性能卓越、可靠性高的 P 沟道 MOSFET,能够满足现代电子产品对于功率密度、开关速度及热管理的高要求。凭借其广泛的应用潜力和易于集成的特点,使其成为工程师和设计师在电源设计和高效能应用中的理想选择。无论是在消费电子、工业控制还是通信设备中,UT2955G-AA3-R 都能为用户带来高效、节能和稳定的解决方案。