UT2955G-AA3-R 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

UT2955G-AA3-R

商品编码: BM69416141
品牌 : 
UTC(友顺)
封装 : 
SOT-223
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1W 60V 1.7A 1个P沟道 SOT-223
库存 :
1(起订量1,增量1)
批次 :
21+
数量 :
X
1.12
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.12
--
100+
¥0.859
--
1250+
¥0.728
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

UT2955G-AA3-R参数

功率(Pd)1W商品分类场效应管(MOSFET)
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)180mΩ@10V,1.5A漏源电压(Vdss)60V
类型1个P沟道连续漏极电流(Id)1.7A
阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@1mA

UT2955G-AA3-R手册

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UT2955G-AA3-R概述

产品概述:UTC UT2955G-AA3-R P沟道 MOSFET

UTC UT2955G-AA3-R 是一款高性能的 P 沟道场效应管(MOSFET),专为需要可靠高效开关和放大电路的应用而设计。它具有 1W 的功率承受能力,额定电压为 60V,最大连续电流为 1.7A。这款器件采用 SOT-223 封装,具备紧凑的尺寸和良好的热管理性能,适合各种空间受限的电子产品中使用。

主要特性

  1. 高电压和电流能力: UT2955G-AA3-R 具备最高 60V 的漏源电压,能够满足大多数中低电压电源开关和线性放大应用,提供了足够的余量以应对瞬时过压情况。此外,1.7A 的连续电流能力确保了设备在高负载条件下的稳定性和可靠性。

  2. 低导通电阻: 该 MOSFET 采用先进的半导体技术,具有较低的 RDS(on) 值,这意味着在导通状态下的电能损耗较低,从而提高了整体系统的能效,减少了发热。

  3. 快速开关特性: UT2955G-AA3-R 支持较快的开关频率,适合于高频率信号的处理和控制。这使得其在开关电源、PWM(脉冲宽度调制)控制以及马达驱动电路等应用中表现优异。

  4. 极佳的热性能: SOT-223 封装不仅体积小巧,而且设计优良,有助于提升散热性能,使得 UT2955G-AA3-R 在高功率应用中仍可以保持良好的工作温度,确保器件的长期稳定性与可靠性。

  5. 支持多种应用: 该产品的设计考虑到了多种应用需求,适用于 DC-DC 转换器、开关电源、负载开关、信号开关和线性放大器等电路。此外,在消费电子、工业控制和通信设备等领域同样具有良好的适应性。

应用领域

UTC UT2955G-AA3-R 适合广泛的应用领域,包括但不限于:

  • 开关电源:在各种电源转换和管理电路中,该 MOSFET 可以作为开关元件,实现高效的能量转换。
  • 电机控制:可用于电机驱动电路中,提供高效的功率控制,优化电机性能。
  • 信号调制:在音频应用及高频信号处理中,提供快速的开关响应,确保信号的完整性。
  • 负载开关:在电源管理和电路保护中,提供快速的开关功能,避免过载和短路导致的损害。
  • LED驱动:在LED照明系统中,提供可靠的开关控制,助力高效的照明解决方案。

结论

总的来说,UTC UT2955G-AA3-R 是一款性能卓越、可靠性高的 P 沟道 MOSFET,能够满足现代电子产品对于功率密度、开关速度及热管理的高要求。凭借其广泛的应用潜力和易于集成的特点,使其成为工程师和设计师在电源设计和高效能应用中的理想选择。无论是在消费电子、工业控制还是通信设备中,UT2955G-AA3-R 都能为用户带来高效、节能和稳定的解决方案。