功率(Pd) | 37.4W | 商品分类 | 场效应管(MOSFET) |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 100mΩ@10V,8A | 漏源电压(Vdss) | 100V |
类型 | 1个N沟道 | 连续漏极电流(Id) | 14.7A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
在电子设计中,场效应管(MOSFET)作为一种重要的开关元件和放大元件,广泛应用于各种电路中。15N10L-TN3-R是一款由UTC(友顺)公司生产的N沟道MOSFET,具有良好的性能特征和高性价比,适合用于电源管理和信号放大等应用场景。
TO-252-2封装,常被称为DPAK,是一种表面贴装封装,具有较好的散热特性。在实际应用中,这种封装便于安装,适合高密度电路板上的应用。DPAK封装允许制造商在较小的空间内集成高功率功能,确保在设备体积小的情况下,实现高性能。
15N10L-TN3-R广泛应用于多个领域,具体包括但不限于:
为了确保产品在各种环境中稳定运行,15N10L-TN3-R通常保持在特定的工作温度范围内。我们的产品设计使其在-55°C至+150°C的广泛温度范围内均能正常工作。这一特性使得MOSFET在高温、潮湿或极端环境中仍然能够可靠工作,适合工业和户外应用。
UTC(友顺)作为一家具有丰富经验的电子元器件制造商,致力于提供高质量和高可靠性的产品。15N10L-TN3-R经过严格的测试和质量控制,确保在高负载和严苛条件下的稳定性和可靠性。此外,产品遵循国际标准与认证,客户可以放心选择。
15N10L-TN3-R是一款性能卓越的N沟道MOSFET,结合了高功率处理能力、高电压耐受性和高电流输出,适合各种应用。无论在电源管理、驱动控制还是信号放大等领域,15N10L-TN3-R均能为设计师和工程师提供一款可靠的解决方案。选择15N10L-TN3-R,将为您的项目提供强大的支持与保障。