15N10L-TN3-R 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

15N10L-TN3-R

商品编码: BM69416140
品牌 : 
UTC(友顺)
封装 : 
TO-252-2(DPAK)
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 37.4W 100V 14.7A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)
库存 :
1984(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
1.07
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.07
--
100+
¥0.822
--
1250+
¥0.696
--
2500+
¥0.59
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

15N10L-TN3-R参数

功率(Pd)37.4W商品分类场效应管(MOSFET)
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)100mΩ@10V,8A漏源电压(Vdss)100V
类型1个N沟道连续漏极电流(Id)14.7A
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA

15N10L-TN3-R手册

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无数据

15N10L-TN3-R概述

产品概述:15N10L-TN3-R MOSFET

基本信息

在电子设计中,场效应管(MOSFET)作为一种重要的开关元件和放大元件,广泛应用于各种电路中。15N10L-TN3-R是一款由UTC(友顺)公司生产的N沟道MOSFET,具有良好的性能特征和高性价比,适合用于电源管理和信号放大等应用场景。

主要参数

  • 功率:37.4W
  • 耐压:100V
  • 最大漏电流:14.7A
  • 封装类型:TO-252-2 (DPAK)

封装类型

TO-252-2封装,常被称为DPAK,是一种表面贴装封装,具有较好的散热特性。在实际应用中,这种封装便于安装,适合高密度电路板上的应用。DPAK封装允许制造商在较小的空间内集成高功率功能,确保在设备体积小的情况下,实现高性能。

性能特点

  1. 高功率处理能力:15N10L-TN3-R能够处理高达37.4W的功率,在高负载条件下工作稳定,适合于需要高电流应用的场合。
  2. 高电压耐受:该元件的最大耐压为100V,使其适用于多种中高电压应用,能够有效防止电压击穿造成的损坏。
  3. 高电流输出:最高漏电流可达14.7A,使得该产品在驱动大功率负载时表现出色,满足大多数功率电路的需求。
  4. 低导通电阻:其低导通电阻特性使得MOSFET在开启时损耗较小,有助于提高系统整体效率,降低热量产生。

应用领域

15N10L-TN3-R广泛应用于多个领域,具体包括但不限于:

  • 电源管理:用于开关电源、直流-直流转换器和其他电源电路。
  • 电动机驱动:在电动机控制电路中作为开关元件,为电动机提供高效的启停控制。
  • LED驱动:在LED照明系统中实现高效的能量转换和驱动。
  • 马达控制:在电机控制和驱动系统中常用作功率开关,以控制启动、停止和调速。
  • 信号放大:在低功率信号放大器中用作放大元件,提升信号处理能力。

工作温度范围

为了确保产品在各种环境中稳定运行,15N10L-TN3-R通常保持在特定的工作温度范围内。我们的产品设计使其在-55°C至+150°C的广泛温度范围内均能正常工作。这一特性使得MOSFET在高温、潮湿或极端环境中仍然能够可靠工作,适合工业和户外应用。

可靠性与品质

UTC(友顺)作为一家具有丰富经验的电子元器件制造商,致力于提供高质量和高可靠性的产品。15N10L-TN3-R经过严格的测试和质量控制,确保在高负载和严苛条件下的稳定性和可靠性。此外,产品遵循国际标准与认证,客户可以放心选择。

结论

15N10L-TN3-R是一款性能卓越的N沟道MOSFET,结合了高功率处理能力、高电压耐受性和高电流输出,适合各种应用。无论在电源管理、驱动控制还是信号放大等领域,15N10L-TN3-R均能为设计师和工程师提供一款可靠的解决方案。选择15N10L-TN3-R,将为您的项目提供强大的支持与保障。