FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 55A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 19 毫欧 @ 30A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 115nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 3500pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 3.75W(Ta),125W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TO-263(D2Pak) |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
SUM55P06-19L-E3 是威世(VISHAY)公司推出的一款高性能P沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。该器件具有出色的电气性能和可靠性,适用于不同的电子应用场景,包括电源管理、电机驱动和其他功率控制电路。它的漏源电压(Vdss)为60V,连续漏极电流(Id)可达55A,能够满足高功率应用的需求。
SUM55P06-19L-E3 适用于多种应用场景,包括但不限于:
总之,SUM55P06-19L-E3是一款性能优越的P沟道MOSFET,凭借其高电流承受能力、低导通电阻和广泛的工作温度范围,为客户在电源管理和功率控制应用中提供了可靠的解决方案。威世(VISHAY)凭借其卓越的制造工艺和严格的质量保证,让此产品在市场上具有更高的竞争力和追求卓越的技术价值。无论是新设计还是替换老旧器件,SUM55P06-19L-E3都是理想的选择。