BSC010NE2LS 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BSC010NE2LS

商品编码: BM69416085
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
卷装
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2.2V@250uA TDSON-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
7.35
按整 :
圆盘(1圆盘有5000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥7.35
--
100+
¥6.12
--
1250+
¥5.67
--
2500+
¥5.4
--
5000+
¥5.14
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

BSC010NE2LS参数

功率(Pd)96W反向传输电容(Crss@Vds)180pF@12V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1mΩ@4.5V,100A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)64nC@10V
漏源电压(Vdss)25V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)6.3nF@12V连续漏极电流(Id)100A
阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA

BSC010NE2LS手册

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BSC010NE2LS概述

BSC010NE2LS 产品概述

概述

BSC010NE2LS 是一款由英飞凌(Infineon)制造的双极型场效应晶体管(MOSFET),适用于多种电子应用。该器件特别设计用于支持低电压和低功耗的电源管理方案,能够满足现代电子设备对高效率和小体积的需求。

主要特性

  1. 最低门电压(Vgs): BSC010NE2LS 的门电压阈值为 2.2V,在额定条件下工作时可提供高达 250µA 的漏电流。这一特性使得该MOSFET特别适合用于低电压应用,为驱动电路提供较低的导通损耗,帮助降低整体系统功耗。

  2. 封装形式: 采用 TDSON-8 封装,BSC010NE2LS 在尺寸上具有极大的灵活性,使其能够集成在空间受限的PCB设计中。该封装不仅减小了占用面积,还优化了散热性能,通过良好的热管理满足高频率和长时间运行的需求。

  3. 电流承载能力: 动作电流可达数百毫安至几安培,使其在各种应用中保持良好的性能。同时,其耐压能力确保在不同的电源输入条件下,保持稳定的工作状态。

  4. 易于驱动: 由于其较低的门电压要求和良好的开关特性,BSC010NE2LS 可由常规的数字逻辑电路直接驱动,减少了针对MOSFET驱动电路的复杂性。

应用场景

BSC010NE2LS 被广泛应用于以下几个领域:

  • 电源管理: 适合 DC-DC 转换器、政变换器及各种电压调节应用。在这些场景中,MOSFET 可作为开关元件,帮助实现高效率的电力传输。

  • 电机驱动: 在步进电机和直流电机控制系统中,BSC010NE2LS 可用于高频开关操作,提升电机驱动的响应速度及控制精度。

  • LED 驱动: 在LED应用中,此MOSFET 可以有效地控制LED的亮度,通过PWM(脉宽调制)信号实现精确的亮度调节。

  • 便携式设备: 由于其低功耗、高效率等特性,适合各种便携式电子产品,如智能手机、平板电脑以及可穿戴设备的电源管理模块。

性能优势

  1. 能效提升: BSC010NE2LS 在开关过程中表现出极低的导通电阻,能够有效降低能量损耗,提升转化效率。

  2. 长寿命和稳定性: 经过严格测试的MOSFET,确保了其在严苛环境下的稳定工作表现,增强了设备的可靠性和使用寿命。

  3. 设计友好: 小型封装和较低的电压驱动特性,为设计者提供了更大的灵活性,使得电路设计更为简单、易于实现。

结论

BSC010NE2LS是一款具有低阈值电压、优良导通性能以及适应各种电源管理和驱动需求的现代 MOSFET。无论是在电池供电的便携设备上,还是在高频开关电源中,BSC010NE2LS都可以为设计者带来显著的技术优势。英飞凌作为该产品的制造商,不仅在元件的性能稳定性方面有着良好的口碑,也为客户提供了强大的技术支持和售后服务。选择 BSC010NE2LS,将是一项值得的投资。