功率(Pd) | 96W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 180pF@12V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1mΩ@4.5V,100A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 64nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 25V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 6.3nF@12V | 连续漏极电流(Id) | 100A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
BSC010NE2LS 是一款由英飞凌(Infineon)制造的双极型场效应晶体管(MOSFET),适用于多种电子应用。该器件特别设计用于支持低电压和低功耗的电源管理方案,能够满足现代电子设备对高效率和小体积的需求。
最低门电压(Vgs): BSC010NE2LS 的门电压阈值为 2.2V,在额定条件下工作时可提供高达 250µA 的漏电流。这一特性使得该MOSFET特别适合用于低电压应用,为驱动电路提供较低的导通损耗,帮助降低整体系统功耗。
封装形式: 采用 TDSON-8 封装,BSC010NE2LS 在尺寸上具有极大的灵活性,使其能够集成在空间受限的PCB设计中。该封装不仅减小了占用面积,还优化了散热性能,通过良好的热管理满足高频率和长时间运行的需求。
电流承载能力: 动作电流可达数百毫安至几安培,使其在各种应用中保持良好的性能。同时,其耐压能力确保在不同的电源输入条件下,保持稳定的工作状态。
易于驱动: 由于其较低的门电压要求和良好的开关特性,BSC010NE2LS 可由常规的数字逻辑电路直接驱动,减少了针对MOSFET驱动电路的复杂性。
BSC010NE2LS 被广泛应用于以下几个领域:
电源管理: 适合 DC-DC 转换器、政变换器及各种电压调节应用。在这些场景中,MOSFET 可作为开关元件,帮助实现高效率的电力传输。
电机驱动: 在步进电机和直流电机控制系统中,BSC010NE2LS 可用于高频开关操作,提升电机驱动的响应速度及控制精度。
LED 驱动: 在LED应用中,此MOSFET 可以有效地控制LED的亮度,通过PWM(脉宽调制)信号实现精确的亮度调节。
便携式设备: 由于其低功耗、高效率等特性,适合各种便携式电子产品,如智能手机、平板电脑以及可穿戴设备的电源管理模块。
能效提升: BSC010NE2LS 在开关过程中表现出极低的导通电阻,能够有效降低能量损耗,提升转化效率。
长寿命和稳定性: 经过严格测试的MOSFET,确保了其在严苛环境下的稳定工作表现,增强了设备的可靠性和使用寿命。
设计友好: 小型封装和较低的电压驱动特性,为设计者提供了更大的灵活性,使得电路设计更为简单、易于实现。
BSC010NE2LS是一款具有低阈值电压、优良导通性能以及适应各种电源管理和驱动需求的现代 MOSFET。无论是在电池供电的便携设备上,还是在高频开关电源中,BSC010NE2LS都可以为设计者带来显著的技术优势。英飞凌作为该产品的制造商,不仅在元件的性能稳定性方面有着良好的口碑,也为客户提供了强大的技术支持和售后服务。选择 BSC010NE2LS,将是一项值得的投资。