8N80L-TF1-T 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

8N80L-TF1-T

商品编码: BM69416022
品牌 : 
UTC(友顺)
封装 : 
TO-220F(TO-220IS)
包装 : 
管装
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 59W 800V 8A 1个N沟道 TO-220F1
库存 :
479(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
4.21
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥4.21
--
100+
¥3.37
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述

8N80L-TF1-T参数

功率(Pd)59W商品分类场效应管(MOSFET)
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.45Ω@10V,4A漏源电压(Vdss)800V
类型1个N沟道连续漏极电流(Id)8A
阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@250uA

8N80L-TF1-T手册

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8N80L-TF1-T概述

8N80L-TF1-T 产品概述

一、产品简介

8N80L-TF1-T是一款高性能的N沟道场效应管(MOSFET),由友顺(UTC)品牌制造。该MOSFET在电力电子和开关电源应用领域中表现出色,具备卓越的电气性能和散热能力,适用于各种高压大电流的应用场景。它的额定功率为59W,最大直流电压可达800V,最大电流为8A,采用TO-220F封装,便于散热和集成在不同的电路中。

二、主要参数

  1. 类型: N沟道MOSFET
  2. 额定功率: 59W
  3. 最大漏极-源极电压(Vds): 800V
  4. 最大漏极电流(Id): 8A
  5. 封装类型: TO-220F
  6. 引脚数: 3个
  7. 导通电阻(Rds(on)): 典型值低,具体参数需参考数据手册。
  8. 开关速度: 快速响应,适合高频开关应用。

三、技术特点

  1. 高耐压: 最大800V的耐压特性能非常适应高压电路的需求,尤其在电源开关设计中能够承受峰值电压,降低损坏风险。

  2. 低导通电阻: 其导通电阻较低,能够减小在开关过程中产生的热量,进而提高系统效率和可靠性。

  3. 高开关频率: MOSFET具备快速的开关特性,适用于开关电源及其他高频电路,保证了电路的高效率和运行稳定性。

  4. 良好的散热性能: TO-220F封装设计结合放热能力,能够有效散发功率损失所导致的热量,更加适合在高功率应用中的使用。

四、应用领域

  1. 开关电源: 8N80L-TF1-T广泛应用于开关电源技术,尤其是在DC-DC转换器中,能够在保证高效率的同时,实现高压和高流量的转换。

  2. 马达驱动: 在电动机控制领域,该MOSFET可以用于马达驱动应用中,提供稳定的电力输出,满足负载要求。

  3. 逆变器: 适用于光伏产业相关逆变器中,能够处理大的电流和电压,提升系统整体效率。

  4. 电量转换: 在各类电量转换设备中,如UPS(不间断电源),8N80L-TF1-T能够提升电源的转换效率,并保证设备的稳定运行。

五、选型及使用说明

在选用8N80L-TF1-T MOSFET时,设计者需考虑以下几点:

  • 热管理: 由于高功率部分将产生相对较大的热量,设计时要考虑合适的散热器和散热措施,以保障MOSFET的长期稳定工作。

  • 开关频率: 确保应用场合的开关频率在MOSFET的可接受范围内,以避免因为开关频率过高导致的效率下降。

  • 驱动电路: 为了达到最佳性能,建议设计合适的栅驱动电路,以保证MOSFET的开关快速而响应灵敏。

六、结论

8N80L-TF1-T以其高耐压、低导通电阻及快速开关特性,使其成为高压、大电流应用中的优选元器件。无论是在开关电源、逆变器,还是在电动机驱动等应用中,均能展现出良好的性能。

凭借友顺品牌的技术积累和产品质量,8N80L-TF1-T不单是创新设计的理想选择,更是未来电子产品发展的重要组成部分。选用此款MOSFET,将为您的电路设计提供更高的可靠性和经济效益。