ZXMN3F30FHTA
ZXMN3F30FHTA参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.8A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 47 毫欧 @ 3.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 7.7nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 318pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 950mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
ZXMN3F30FHTA手册
ZXMN3F30FHTA概述
产品概述：ZXMN3F30FHTA
在现代电子设计中，场效应管（FET）是关键的基础元件之一，尤其是N通道MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）因其优越的性能而受到广泛应用。ZXMN3F30FHTA是由DIODES公司推出的一款高效能的N通道MOSFET，其设计目标是针对低功耗和高效率的应用场景而优化，具备多种优势特性。
主要参数
漏源电压（Vdss）: ZXMN3F30FHTA的最大漏源电压为30V，这使得其能够在多种电压条件下稳定运行，适合用于低到中等电压的电路设计。
连续漏极电流 (Id): 其在25°C环境下的连续漏极电流为3.8A，这意味着在特定的温度条件下，MOSFET可以承受较大的电流，同时保持出色的导通性能。
导通电阻 (Rds On): ZXMN3F30FHTA在10V栅极电压和3.2A电流时，最大导通电阻为47毫欧，确保了低功耗的操作，减少了线路中的功率损耗。
驱动电压 (Vgs): 此器件的驱动电压分为两种模式，分别为4.5V和10V，用户可以根据实际需求选择合适的栅极驱动电压，以实现最佳性能。
栅极阈值电压 (Vgs(th)): 在250µA的测试条件下，ZXMN3F30FHTA的栅极阈值电压最大为3V，这意味着其能够在较低的栅极电压下迅速导通，适合快速开关应用。
输入电容 (Ciss): 在15V的工作电压下，其输入电容为318pF，较低的输入电容值有助于提升开关速度，适应高频应用。
功率耗散: ZXMN3F30FHTA的最大功率耗散能力为950mW，适用于负载要求不高但又不能忽视热量管理的电路设计。
工作温度范围: 该MOSFET的工作温度范围广泛，从-55°C到150°C，能够在极端环境下保持稳定工作，特别适合汽车电子和工业自动化等领域。
封装类型与应用
ZXMN3F30FHTA采用SOT-23-3封装，符合表面贴装(SMT)的需求。这种封装相对紧凑，便于在小型电路板中应用，广泛用于消费类电子、通信设备、电源管理系统以及汽车电子等领域。
应用场景
开关电源: 由于其低导通电阻和良好的导通能力，ZXMN3F30FHTA非常适合用于DC-DC转换器和线性电源中、高效率的开关电源设计。
电机驱动: 随着电子设备的逐渐小型化，对高性能MOSFET的需求日益增加。ZXMN3F30FHTA可以在电机驱动电路中作为开关元件，提供快速响应和高效能。
LED驱动: 此MOSFET也可以用于LED驱动电路中，通过低导通电阻和高电流承受能力，实现亮度调节和开关控制。
汽车电子: ZXMN3F30FHTA适用于汽车电子的各种应用，包括电池管理系统、灯光控制和电动窗等，这些应用都能受益于其宽广的工作温度范围及高可靠性。
结论
ZXMN3F30FHTA是一个高效的N通道MOSFET，凭借其优异的性能指标，广泛适用于多种电子应用。无论是对功率效率的追求，还是在环境适应性方面的需求，ZXMN3F30FHTA均能提供可靠的解决方案。其出色的导通性能、广泛的工作温度范围和紧凑的封装设计，使得该产品在市场上具备了优良的竞争力，也成为众多电子设计师和工程师的首选元件。