安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.4 欧姆 @ 250mA,10V |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4V,10V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 250mA(Ta) | FET 类型 | P 通道 |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 30pF @ 10V | Vgs(最大值) | ±20V |
工作温度 | 150°C(TJ) | 漏源电压(Vdss) | 30V |
功率耗散(最大值) | 150mW(Ta) | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA |
基本信息: RE1E002SPTCL 是 ROHM(罗姆)公司推出的一款 P 通道 MOSFET,采用 SOT-416 封装,封装类型为表面贴装型。该器件设计用于高效的功率管理和控制应用,适用于需要高可靠性和高温环境下操作的电子设备。
电气参数:
工作环境: RE1E002SPTCL 的工作温度范围可达 150°C,适合应对高温工作环境的挑战,例如汽车电子、工业控制和某些消费电子产品。其出色的热稳定性为设计师提供了更大的灵活性和设计安全性。
应用领域: 由于其卓越的性能和设计特性,RE1E002SPTCL 适用于多种应用场景,包括但不限于:
总结: RE1E002SPTCL P 通道 MOSFET 是一款高性能、低功耗的电子元器件,具备广泛的应用潜力和高温工作的能力。其优越的电气参数和可靠的性能,能够满足现代电子设备对于功率管理、信号处理以及开关控制的要求。ROHM 作为行业领先的半导体制造商,其提供的高质量 MOSFET 解决方案确保每一款产品都能在严苛的应用环境中稳定性运行,是设计师和工程师在选择 MOSFET 解决方案时值得信赖的选择。