STD7N80K5
STD7N80K5参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 800V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.2 欧姆 @ 3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 13.4nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 360pF @ 100V |
| 功率耗散（最大值） | 110W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | DPAK |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
STD7N80K5手册
STD7N80K5概述
产品概述：STD7N80K5 N通道MOSFET
一、概述
STD7N80K5是一款高性能的N通道MOSFET，采用金属氧化物半导体（MOSFET）技术，专为高压和高电流的应用场景设计。这款器件具有优异的电气特性，适用于各种电力电子转换和开关应用。产品采用DPAK表面贴装型封装，提供了方便的安装方式，常用于逆变器、开关电源和电机控制等领域。
二、基础参数
漏源电压（Vdss）：STD7N80K5的最大漏源电压为800V，这使得它适合高电压的应用，能够在苛刻的电气环境中稳定工作。
连续漏极电流（Id）：在25°C的条件下，连续漏极电流可达到6A，这为其在高功率需求下的应用提供了充足的电流处理能力。
驱动电压（Vgs）：器件在驱动电压下的表现十分出色，最大RDS(ON)在10V下为1.2欧姆，确保了在开启状态时的低导通损耗。
栅极阈值电压（Vgs(th)）：在100µA的条件下，Vgs(th)的最大值为5V，这意味着该MOSFET可以在较低的驱动电压下有效工作。
栅极电荷（Qg）：在10V的驱动电压下，栅极电荷为13.4nC，低栅极电荷值有助于降低驱动电路的能耗，提高开关效率。
输入电容（Ciss）：在100V的条件下，输入电容最大值为360pF，确保快速切换和低开关损失。
功率耗散（Pd）：该器件的最大功率耗散能力为110W（Tc），可以在高温条件下安全运行，适合多种工业应用。
工作温度范围：STD7N80K5的工作温度范围为-55°C至150°C（TJ），使其能适应各种严酷的工作环境。
三、封装信息
STD7N80K5采用DPAK封装，标准TO-252-3结构，不仅安装简便，还能够提供良好的散热性能，适合表面贴装技术（SMT）。DPAK封装适合于大规模生产，且在空间受限的设计中尤为重要。
四、应用领域
STD7N80K5广泛应用于以下几个主要领域：
电源管理：在开关电源和直流-直流转换器中，作为开关元件，实现高效的能源转换。
电机驱动：用于直流电机的控制和驱动，保证在不同负载情况下的高效性能。
逆变器：在太阳能逆变器和电动汽车等应用中，充当重要的开关元件，提升整体系统效率。
高压开关应用：能够处理高达800V的电压，适用于高压临界控制及开关设备。
五、总结
STD7N80K5 N通道MOSFET是市场上性能稳定、适用广泛的高压开关元件。凭借其优异的电气特性、高耐压能力与强大的连续电流处理能力，尤其适合高功率和高电压的应用场合。在现代电子设计和电力电子转换中，STD7N80K5无疑是一个理想的选择，能够满足工程师对可靠性和效率的苛刻要求。