SCT20N120AG
SCT20N120AG参数
| 制造商 | STMicroelectronics | 系列 | Automotive, AEC-Q101 |
| 包装 | 管件 | 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | SiCFET（碳化硅） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 20A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 20V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 239毫欧 @ 10A，20V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 1mA |
| Vgs（最大值） | +25V，-10V | 功率耗散（最大值） | 153W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 200°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | HiP247™ | 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 漏源电压（Vdss） | 1200V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 45nC @ 20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 650pF @ 400V |
SCT20N120AG手册
SCT20N120AG概述
SCT20N120AG 产品概述
一、基本信息
SCT20N120AG 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能 N 通道碳化硅（SiC）MOSFET，专为汽车应用设计和制造，符合 AEC-Q101 认证标准。该晶体管具有卓越的电气性能和热特性，能够在苛刻的环境条件下稳定工作，是电动汽车、混合动力汽车、以及高压电源转换器等应用场景的理想选择。
二、关键参数
漏极电流: 在 25°C 环境下，持续漏极电流 (Id) 可达 20A，同时具有瞬时漏极电流能力（Idm）高达 45A，能够满足动态负载条件下的需求。
导通电阻: 在 10A 和 20V 驱动电压下，其导通电阻 (Rds On) 最大可达到 239毫欧，提供优秀的导电性能，降低了功耗，改善了整体系统效率。
工作温度范围: SCT20N120AG 的工作温度范围为 -55°C 至 200°C，适用于严苛的汽车环境。
封装类型: 采用 HiP247™ 封装，符合 TO-247-3 标准，方便与其他元件的集成，具备良好的散热性能。
栅极电压与电荷特性: 最多可承受 +25V 和 -10V 的栅极源电压，栅极电荷 (Qg) 在 20V 条件下为 45nC，确保快速开关，实现高频率操作。
功率耗散: 最大功率耗散能力为 153W（在 Tc 条件下），使得此器件能够承受较高的电流和功率负荷，适应多种应用需求。
漏源电压: 最高漏源电压 (Vdss) 可达到 1200V，适用于高压应用，确保系统的安全性及稳定性。
输入电容: 在 400V 下输入电容 (Ciss) 最大为 650pF，能够有效降低驱动电路的功耗。
三、应用领域
SCT20N120AG 由于其卓越的性能，广泛应用于以下领域：
- 汽车电子: 适用于电动汽车、混合动力汽车及其充电站中的功率转换和电源管理系统。
- 工业电源: 可以用于高效能的功率变换器和逆变器，提升整体能效。
- 可再生能源: 在太阳能变频器和风能发电系统中，能够进行高效的电能管理。
- 高功率切换应用: 适合用于超快开关和高频工作条件下的实现。
四、技术优势
高效性: 利用碳化硅的特性，SCT20N120AG 在高电压和高温下表现出色，与传统硅器件相比，能提供更低的导通电阻和更高的耐压，从而减少能量损失。
可靠性: 作为 AEC-Q101 认证的汽车级元件，SCT20N120AG 经受了严格的质量和可靠性测试，确保其在各种严峻条件下的长期可靠运行。
热管理: 会展现出优良的热导性，可以有效管理热量，即使在高功率条件下也能保持良好的工作状态。
灵活性: 通孔安装形式使得该器件能够方便地集成到各种电路中，提升了设计的灵活性和适应性。
五、总结
SCT20N120AG 是一款结合高性能与高可靠性的先进 N 通道 SiC MOSFET，特别适合汽车及工业领域的高压、高效能电源管理方案。通过优化的导电特性和散热能力，这款产品不仅提升了系统的能源利用效率，减少了整体设计的复杂性，也为未来的电力电子系统提供了强有力的技术支持。