RJU003N03T106
RJU003N03T106参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 300mA |
| 漏源导通电阻 | 1.1Ω @ 300mA,4.5V | 栅源极阈值电压 | 1.5V @ 1mA |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 200mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 300mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.1 欧姆 @ 300mA，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 1mA |
| Vgs（最大值） | ±12V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 24pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 200mW（Ta） | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | UMT3 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
RJU003N03T106手册
RJU003N03T106概述
RJU003N03T106 产品概述
产品简介
RJU003N03T106是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由知名电子元器件制造商ROHM（罗姆）生产。该元器件采用SC-70/SOT-323标准封装，适合用于各种电源管理和开关应用，其性能卓越，能够在相对较小的表面贴装型结构中提供可靠的功能。
基本参数
- 漏源电压（Vdss）: 30V
- 连续漏极电流（Id）: 300mA（在25°C下）
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 1.1Ω（在300mA，4.5V下）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 1.5V（在1mA下）
- 最大功率耗散: 200mW（在Ta=25°C时）
- 工作温度: 可达150°C（TJ）
这些参数表明，RJU003N03T106在30V的工作条件下，能够持续承载高达300mA的电流，且具备良好的导通性能，适用于高效电源管理和开关控制电路。这使得该器件特别适合在智能手机、平板电脑、计算机和其他便携式设备的电源开关应用中使用。
技术特点
低导通电阻: 其Rds(on)仅为1.1Ω，这在300mA的工作条件下表现良好，有助于降低设备的功耗，提高能效。
宽广的栅源电压范围: RJU003N03T106的最大栅极源极电压为±12V，适应多种驱动电路设计，可以有效控制电流的流动。
高输入电容: 在10V的条件下，其输入电容（Ciss）为24pF，在高频应用中也能保持良好的开关特性。
卓越的散热性能: 该器件的最大功率耗散达到200mW，使其能够在相对较高的功率输出下可靠工作，同时设计中的高温操作能力确保了其在恶劣环境下的稳定性。
应用场景
RJU003N03T106的设计使其能够在多种应用环境中表现优异。以下是一些主要的应用场合：
便携式电源管理: 在移动设备中，如智能手机、平板电脑及其他电子产品，RJU003N03T106可以用作电源开关，以优化电源效率和延长电池使用寿命。
LED驱动: 由于其出色的开关特性，该MOSFET可以在LED照明系统中，以高效的方式进行驱动，从而提升亮度并降低能耗。
负载开关: 在服务器和其他工业设备中，RJU003N03T106可以作为负载开关用于电源管理，控制电流的流动状态。
电路保护: 该设备的超低导通电阻特性也使其适用于过流保护电路，有效防止电路损坏。
总结
RJU003N03T106是一款出色的N沟道MOSFET，凭借其低导通电阻、高工作温度能力及良好的功率耗散特性，使其在现代电子设备中具有广泛的应用潜力。随着对更高效电子元器件需求的增加，其在便携设备、电源管理、电动汽车和照明系统等领域的前景将更加广阔。ROHM（罗姆）提供的这款器件，不仅保证了卓越的性能，同时也为工程师提供了设计上的灵活性和可靠性，能够满足多样化的市场需求。