制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | NPN |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 250mV @ 10mA,100mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 120 @ 2mA,6V | 频率 - 跃迁 | 60MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 3-XFDFN | 供应商器件封装 | X2-DFN1006-3 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
功率 - 最大值 | 450mW | 基本产品编号 | DN0150 |
DN0150ALP4-7B 是由 Diodes Incorporated 生产的高性能 NPN 双极型晶体管(BJT),旨在满足多种电子应用需求。该器件的设计和特性使其在信号处理、放大以及开关电路中具备广泛的适用性。其卓越的性能参数和优越的环境适应性使其成为电子产业中不可或缺的重要元器件。
1. 电流增益: DN0150ALP4-7B 在较低的电流驱动下依然提供出色的电流增益,最小值达到 120,确保在低功耗条件下也能实现有效的信号放大。这一特性使其在细微信号处理中的应用尤为突出。
2. 低饱和压降: 该晶体管在典型工作条件下展现出低达 250mV 的饱和压降,有利于提高电路的效率,降低能耗,尤其在功率转换领域表现显著。
3. 高频特性: 具有高达 60MHz 的频率跃迁, DN0150ALP4-7B 非常适合高频率电子设备的需求,确保信号的快速传输与处理。
4. 耐高温特性: 工作温度上限可达 150°C,使其适用于严酷环境下的电子设备,无论是在工业、汽车还是军事应用中,都能提供可靠的性能。
DN0150ALP4-7B 的广泛应用场景涵盖了:
DN0150ALP4-7B 采用卷带包装(TR),方便自动贴装,提高生产效率,降低生产成本。同时其性能参数的优化设计,使得该器件在同类产品中具有较强的竞争力。凭借 Diodes Incorporated 公司的优良制造工艺与稳定的质量控制,DN0150ALP4-7B 无疑是电子工程师们的首选材料之一。
DN0150ALP4-7B 是一款功能全面、性能卓越的 NPN 双极型晶体管,适应性强、应用广泛。其低功耗、高增益及高温特性,结合良好的频率响应,使其在现代电子产品中扮演着至关重要的角色。无论是用于消费电子、工业应用,还是汽车电子技术领域,DN0150ALP4-7B 的出色性能为各类产品带来了更多可能。