二极管类型 | 标准 | 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 75V |
电流 - 平均整流 (Io) | 200mA(DC) | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.25V @ 150mA |
速度 | 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 | 反向恢复时间 (trr) | 3µs |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 5nA @ 75V | 不同 Vr、F 时电容 | 2pF @ 0V,1MHz |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-76,SOD-323 |
供应商器件封装 | SOD-323 | 工作温度 - 结 | 150°C(最大) |
BAS416,115 是一款由安世(Nexperia)出品的高性能通用二极管,封装为小型表面贴装型(SOD-323),其设计旨在满足现代电子设备日益增长的空间和性能需求。该器件以其优越的电气特性和广泛的应用场景,成为了电子工程师和设计师面临的理想选项。
二极管类型: BAS416,115 是一款标准二极管,适合于多种基础电子应用,包括整流、电压钳位、信号检测等。
反向电压(Vr): 该二极管能够承受最大反向电压高达 75V,这使其在许多高压应用场景中具有良好的适用性。
平均整流电流(Io): BAS416,115 的平均整流电流能力为 200mA(DC),这使得它能够满足大部分中等功率负载的需求。
正向电压(Vf): 在150mA的工作条件下,二极管的正向电压降为1.25V,提供较低的功率损耗,这对于提高整流效率十分重要。
速度: 该二极管具有小信号整流能力,最大整流电流可达200mA,允许在不同速度下的灵活应用。
反向恢复时间(trr): BAS416,115 的反向恢复时间为3µs,适用于高速开关应用,能够有效减少开关损耗。
反向泄漏电流: 在75V的条件下,反向泄漏电流为5nA,显示出其出色的反向特性,有助于在高压条件下保持低功耗。
电容: 在0V和1MHz下,器件的电容为2pF,这意味着其在高频应用中的表现相对稳定。
工作温度范围: 该器件的最大结温为150°C,确保其在高温环境下的可靠运行。
BAS416,115 采用 SOD-323(SC-76)封装,体积小巧,适合于表面贴装(SMD),在印刷电路板(PCB)上的安装十分方便。这种封装形式不仅节省了空间,且提高了电子产品的集成度和可靠性。
BAS416,115 具有广泛的应用领域,包括但不限于:
BAS416,115 是一款功能强大且灵活的通用二极管,凭借其出色的电气参数和小巧的封装,对现代电子产品的设计与整合提供了优越的解决方案。无论是在高频应用、整流电路还是在高温环境下,BAS416,115 都能始终如一地提供出色的性能和可靠性,成为电子设计中的重要组成部分。