注：图像仅供参考，请参阅产品规格
STW21N90K5
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-247-3
包装 :
管装
重量 :
6.8g
描述 :
场效应管(MOSFET) 250W 900V 18.5A 1个N沟道 TO-247
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
32.91按整 :
管(1管有600个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥32.91
--
10+
￥29.38
--
12000+
产品参数
产品手册
产品概述
STW21N90K5参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 900V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 18.5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 299 毫欧 @ 9A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 43nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1645pF @ 100V |
| 功率耗散（最大值） | 250W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
STW21N90K5手册
无数据
STW21N90K5概述
STW21N90K5 产品概述
1. 产品介绍 STW21N90K5是一款高性能的N通道MOSFET，具备900V的漏源电压（Vdss）和18.5A的连续漏极电流（Id）。作为意法半导体（STMicroelectronics）的一员，该器件集合了高效率、低开关损耗和良好的热性能，非常适合高压和高功率应用场景，如电源转换、逆变器和电机驱动等。
2. 关键参数
- 漏源电压（Vdss）: 900V，能够在高电压环境中稳定工作，为各种工业应用提供了可靠的性能基础。
- 连续漏极电流（Id）: 18.5A（Tc），该电流值使得STW21N90K5在典型工作条件下能够处理较高的负载而不发生过热。
- 导通电阻（Rds On）: 299毫欧（@9A，10V），低导通电阻意味着该MOSFET在导通时具有较低的功耗和发热，这对于提高效率至关重要。
3. 工作条件与可靠性 STW21N90K5的工作温度范围为-55°C到150°C (TJ)，在极端环境下也能保证其可靠性。同时，器件功率耗散能力达到250W，极大地提高了其在高负载下的应用潜力。此外，该器件的栅极电压（Vgs）最大值可达±30V，可以与多种栅驱动电路兼容。
4. 性能指标 在栅极驱动电压Vgs为10V时，其最大值为43nC的栅极电荷（Qg）在开关频率较高的应用中表现出色，快速的开关特性有助于减少开关损耗。同时，该MOSFET在100V时的输入电容（Ciss）为1645pF，适合高频应用，能够有效提高电路的开关速度。
5. 封装与安装 STW21N90K5采用TO-247-3封装，具备良好的热管理特性，适合通孔安装，方便在多种PCB设计中应用。该封装设计允许简单的散热管理，能够保持器件在高功率下的稳定性。
6. 应用场景 STW21N90K5广泛用于以下应用：
- 开关电源: 在高压开关电源设计中，能够有效控制电流，降低开关损耗。
- 逆变器: 在太阳能、风能等可再生能源设备中，作为开关元件提高能效，保障 inverter 功能的稳定性。
- 电机驱动: 在电机控制中，可用于高效转换和电流控制，以提高整体系统的效率和响应速度。
- 其它高压应用: 例如焊接机、电池充电器等，需要在高电压下可靠工作的场合。
7. 结论 综上所述，STW21N90K5是一款具有出色电性能和高可靠性的高压N通道MOSFET，适合各种需要高电压和高功率的应用，它在电源转换、逆变器及电机驱动等领域展现出卓越的性能。凭借其合理的设计、宽广的工作温度范围及强大的热管理能力，STW21N90K5将为工程师们提供极大的便利与选择。选择STW21N90K5，将有助于实现高效、可靠的电源管理解决方案。