STP21N90K5
STP21N90K5参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 900V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 18.5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 299 毫欧 @ 9A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 43nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1645pF @ 100V |
| 功率耗散（最大值） | 250W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
STP21N90K5手册
STP21N90K5概述
STP21N90K5 产品概述
STP21N90K5 是由知名半导体制造商意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其设计用途广泛，适合高电压和高电流的应用场合。该器件以其杰出的电气特性和优良的热性能，而被广泛应用于电力电子、开关电源以及工业控制等领域。
主要特点
高漏源电压（Vdss）：STP21N90K5 的最大漏源电压高达 900V，这使其非常适合在高压应用中使用，如电压转换器和电动机驱动电路。
高电流能力：它在 25°C 环境下能持续承载最高可达 18.5A 的电流，为高功率应用提供了可靠保证。特别是在高负载条件下，器件能够稳定工作，确保系统的高效率和可靠性。
低导通电阻（Rds(on)）：在 10V 的栅极驱动电压下，对于 9A 电流时的导通电阻最大值为 299 毫欧。这一特性有助于降低功耗，提高系统的整体效率，尤其对于高频开关应用更是如此。
广泛的工作温度范围：STP21N90K5 的工作温度范围为 -55°C 到 150°C，满足了现代电子设备在极端环境条件下的稳定运行需求。这使其能够应用于汽车、工业和消费电子等多种领域。
优秀的栅极电荷特性：以 10V 进行驱动的情况下，栅极电荷(Qg)最大值为 43nC，这一特性对于高速开关应用尤为重要。在开关频率较高的电路中，较小的栅极电荷会导致更快的开关速度，从而提升整个系统的效率。
优越的热管理：该部件的最大功率耗散为 250W，采用 TO-220-3 封装，提供良好的散热条件，进一步确保器件在高功率操作下的安全和稳定。
应用场景
STP21N90K5 在多个领域均有重要应用：
开关电源：其高压特性适合用于制造高效的开关电源。能够稳定地处理大功率负载，是高电压电源设计中的理想选择。
电机驱动：在直流和交流电机驱动应用中，STP21N90K5 可用作开关元件，它能有效驱动电动机并提高系统的运行效率。
高频开关电路：由于其低导通电阻和较小栅极电荷，STP21N90K5 非常适合用于高频开关电路，降低系统的开关损耗，提升系统的整体性能。
汽车电子：借助其宽广的工作温度范围和高可靠性，STP21N90K5 被广泛应用于汽车电子系统，如电源管理和驱动控制。
总结
STP21N90K5 作为一款高性能 N 通道 MOSFET，凭借其高压、高电流以及优良的导通特性，成为多种电力电子应用的首选。其广泛的工作温度及封装设计也为器件在苛刻环境下的应用提供了保障。因此，对于需要高效、可靠电源解决方案的设计工程师来说，STP21N90K5 毫无疑问是一个值得考虑的优秀选择。