功率(Pd) | 50W | 商品分类 | 场效应管(MOSFET) |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 150mΩ@10V,25A | 漏源电压(Vdss) | 100V |
类型 | 1个P沟道 | 连续漏极电流(Id) | 25A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
UTT25P10L-TN3-R是一款高效的P沟道场效应管(MOSFET),其具有较高的功率处理能力、优良的开关特性和稳定的工作性能,广泛应用于功率管理、电源转换、开关电路及其他需要高效能的电子应用中。该器件的额定功率为50W,工作电压高达100V,最大连续漏电流可达到25A,能够满足多种电子设计的需求。
结构设计:
高效能:
广泛的应用:
优良的热管理:
UTT25P10L-TN3-R适用于多个行业和应用,包括但不限于:
UTT25P10L-TN3-R是一款具有高功率、高效率的P沟道MOSFET,非常适合现代电子设备对功耗和性能的严格要求。其在各类电源管理及高效开关应用中的可靠性,适应性与性能表现,使其成为电子工程师首选的关键电子元件之一。
无论是用于消费类电子产品,还是工业控制设备,UTT25P10L-TN3-R都能够展现出优越的性能表现和应用灵活性,助力开发者在设计中实现创新与灵活性。