晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 4.7 千欧 |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 1mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 250µA,5mA |
频率 - 跃迁 | 250MHz | 功率 - 最大值 | 150mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供应商器件封装 | UMT6 |
UMH3NTN是一款高性能的数字晶体管,专为各种电子应用而设计。该产品具有出色的电流和电压特性,适用于处理信号放大、开关控制等多个功能,广泛应用于消费电子、工业设备和通信系统中。由于其独特的设计和高集成度,UMH3NTN成为了众多设计师和工程师的优先选择。
晶体管类型: UMH3NTN是一款双NPN晶体管,采用了预偏压设计。其双NPN结构确保了在不同的应用场景下更优的性能,可靠性和灵活性。
电流和电压参数: 该产品的最大集电极电流(Ic)为100mA,适应高负载需求的应用场景。此外,其最大集射极击穿电压为50V,使其在高电压环境下稳定工作,并提供了良好的抗干扰能力。
频率特性: UMH3NTN的跃迁频率高达250MHz,适合需要高速切换和高频信号处理的场合。这一特性使其成为高速数字电路中不可或缺的元素。
直流电流增益: 在1mA的集电极电流和5V的供电情况下,UMH3NTN的直流电流增益(hFE)最低为100。这意味着其能够提供高增益,提升信号的处理能力,确保信号的完整性和清晰度。
饱和压降: 在250µA和5mA的条件下,该器件的Vce饱和压降最大为300mV。这一特性极大地降低了功耗,并提高了开关效率,使其适合各类低功耗应用。
功率处理能力: UMH3NTN的最大功耗可达150mW,适合中低功率级别的应用。这使得它在电源设计和电机驱动应用中可获得更可靠的性能。
封装和安装: 此款晶体管采用表面贴装型(SMD)封装,封装尺寸为6-TSSOP,符合SC-88和SOT-363规格。紧凑的UMT6封装设计允许其在空间有限的应用中获得更大的设计灵活性。
UMH3NTN广泛应用于各类电子设备中,以下是其主要应用场景:
在选择UMH3NTN作为设计元素时,设计师需要考虑以下几个方面:
UMH3NTN数字晶体管凭借其出色的电气特性和高集成度,为设计工程师提供了一种高效、可靠且应用广泛的解决方案。其优越的频率响应、高增益和低功耗特性,使其在现代电子产品中扮演了重要的角色。无论是消费类电子产品,还是复杂的工业自动化系统,UMH3NTN都能为设计师提供强有力的支持。