UMH3NTN 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

UMH3NTN

商品编码: BM69415675
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
UMT6
包装 : 
编带
重量 : 
0.025g
描述 : 
数字晶体管 150mW 50V 100mA 2个NPN-预偏置 SOT-363
库存 :
7052(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
0.362
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.362
--
200+
¥0.234
--
1500+
¥0.203
--
3000+
¥0.18
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

UMH3NTN参数

晶体管类型2 个 NPN 预偏压式(双)电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)4.7 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 1mA,5V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 250µA,5mA
频率 - 跃迁250MHz功率 - 最大值150mW
安装类型表面贴装型封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装UMT6

UMH3NTN手册

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UMH3NTN概述

UMH3NTN 产品概述

UMH3NTN是一款高性能的数字晶体管,专为各种电子应用而设计。该产品具有出色的电流和电压特性,适用于处理信号放大、开关控制等多个功能,广泛应用于消费电子、工业设备和通信系统中。由于其独特的设计和高集成度,UMH3NTN成为了众多设计师和工程师的优先选择。

1. 主要特性

晶体管类型: UMH3NTN是一款双NPN晶体管,采用了预偏压设计。其双NPN结构确保了在不同的应用场景下更优的性能,可靠性和灵活性。

电流和电压参数: 该产品的最大集电极电流(Ic)为100mA,适应高负载需求的应用场景。此外,其最大集射极击穿电压为50V,使其在高电压环境下稳定工作,并提供了良好的抗干扰能力。

频率特性: UMH3NTN的跃迁频率高达250MHz,适合需要高速切换和高频信号处理的场合。这一特性使其成为高速数字电路中不可或缺的元素。

直流电流增益: 在1mA的集电极电流和5V的供电情况下,UMH3NTN的直流电流增益(hFE)最低为100。这意味着其能够提供高增益,提升信号的处理能力,确保信号的完整性和清晰度。

饱和压降: 在250µA和5mA的条件下,该器件的Vce饱和压降最大为300mV。这一特性极大地降低了功耗,并提高了开关效率,使其适合各类低功耗应用。

功率处理能力: UMH3NTN的最大功耗可达150mW,适合中低功率级别的应用。这使得它在电源设计和电机驱动应用中可获得更可靠的性能。

封装和安装: 此款晶体管采用表面贴装型(SMD)封装,封装尺寸为6-TSSOP,符合SC-88和SOT-363规格。紧凑的UMT6封装设计允许其在空间有限的应用中获得更大的设计灵活性。

2. 应用场景

UMH3NTN广泛应用于各类电子设备中,以下是其主要应用场景:

  • 消费电子: 适用于电视机、音响系统、游戏主机等设备的信号放大和开关控制。
  • 工业控制: 可用于电机驱动、传感器接口以及其他工业自动化设备中,实现信号的快速转换。
  • 通信设备: 在高频信号处理应用中,如无线电发射器和接收器,UMH3NTN能够提供稳定且高效的信号处理能力。
  • 自动化系统: 作为逻辑电路的组成部分,UMH3NTN能够有效控制执行器和其他外围设备。

3. 设计考虑

在选择UMH3NTN作为设计元素时,设计师需要考虑以下几个方面:

  • 散热管理: 尽管其最大功率为150mW,但在持续高负载下仍应设计合适的散热方案,确保器件的长期稳定性和可靠性。
  • 电源供应设计: 使用UMH3NTN时,需保证锂电池或其他电源模块能够提供稳定的供电,以避免影响器件的性能。
  • PCB布局: 由于其高频特性,在PCB印刷时,应尽量减少信号路径的长度,最小化电感和电容的影响。

总结

UMH3NTN数字晶体管凭借其出色的电气特性和高集成度,为设计工程师提供了一种高效、可靠且应用广泛的解决方案。其优越的频率响应、高增益和低功耗特性,使其在现代电子产品中扮演了重要的角色。无论是消费类电子产品,还是复杂的工业自动化系统,UMH3NTN都能为设计师提供强有力的支持。