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ZVN0545GTA
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SOT223
包装 :
编带
重量 :
0.15g
描述 :
场效应管(MOSFET) 2W 450V 140mA 1个N沟道 SOT-223-4
库存 :
352(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
2.34按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.34
--
50+
￥1.8
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述
ZVN0545GTA参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 450V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 140mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 50 欧姆 @ 100mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 70pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 2W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-223 | 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
ZVN0545GTA手册
无数据
ZVN0545GTA概述
ZVN0545GTA 产品概述
产品简介
ZVN0545GTA 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，专门设计用于各种中高电压和电流应用。这种场效应管采用 SOT-223 表面贴装封装，凭借其优秀的电气特性和可靠性，已广泛应用于开关电源、马达控制、负载开关以及其他需要高频率和高效能的应用场景。
主要特性
电气特性:
- 漏源电压 (Vds): 该 MOSFET 的最大漏源电压高达 450V，使其能够在高电压工作环境下稳定运行，非常适合于高压应用。
- 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 环境温度下，ZVN0545GTA 能够提供最高 140mA 的连续漏极电流，保证了其在多种负载条件下的可靠性。
- 导通电阻 (Rds On): 在 10V 的栅源电压下，最大导通电阻为 50Ω（在 100mA 时），这一特性确保了在开关操作时低能量损耗，提升了功率效率。
电压和功率处理能力:
- 驱动电压: 此款器件在栅极驱动电压上具有优良的表现，滴水 Vgs 最大值为 ±20V，为应用设计者提供了良好的设计灵活性。
- 功率耗散: ZVN0545GTA 可承受高达 2W 的功率损耗，适合于各种发热条件下的应用。
温度特性:
- 工作温度范围: 该 MOSFET 的工作温度范围广泛，从 -55°C 到 150°C，使其能够在极端环境下稳定工作。
输入和输出特性:
- 输入电容 (Ciss): 在 25V 时，输入电容达 70pF，这意味着在进行高频开关操作时，器件的响应速度较快，提高了开关效率和系统的整体性能。
- 阈值电压 (Vgs(th)): 最大阈值电压为 3V（在 1mA 下），使得该器件能够在较低驱动电压下开启，提高了驱动电路的简易性和可靠性。
封装和安装:
- 封装类型: ZVN0545GTA 采用符合工业标准的 SOT-223 封装，方便进行表面贴装，适合高密度电子电路板的设计。
应用领域
ZVN0545GTA 适合多种应用领域，包括但不限于：
- 开关电源: 在电源转换和稳压环节发挥重要作用。
- 马达控制: 控制直流或交流电机的启停及调速。
- 负载开关: 在家用电器和工业设备中，对负载进行有效的开关控制。
- 信号开关: 在音频和视频设备中的信号选择及切换。
总结
ZVN0545GTA 是一款兼具高电压、大电流和优良导通性能的 N 通道 MOSFET，专为要求极端可靠性和高效能的电路设计而设计。其广泛的应用领域及卓越的电气特性，使其成为工程师在设计电源和控制电路时的首选组件。基于 DIODES (美台) 品牌的信誉，用户可以对该产品的性能和可靠性有充分的信心。