AON7140 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AON7140

商品编码: BM69415652
品牌 : 
AOS
封装 : 
DFN3.3x3.3-8L
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 46W 40V 148A 1个N沟道 DFN-8-EP(3.3x3.3)
库存 :
295(起订量1,增量1)
批次 :
21+
数量 :
X
3.64
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.64
--
100+
¥3.04
--
750+
¥2.81
--
1500+
¥2.68
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

AON7140参数

功率(Pd)89W反向传输电容(Crss@Vds)65pF@20V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3.5mΩ@4.5V,20A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)60nC@10V
漏源电压(Vdss)40V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)3.35nF@20V连续漏极电流(Id)148A
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.4V@250uA

AON7140手册

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AON7140概述

AON7140 产品概述

一、概述

AON7140是一款高效能的N沟道场效应管(MOSFET),专为高电流和中等电压应用而设计。它具有46W的功率额定值,支持最多40V的工作电压,以及148A的峰值电流,适用于需要高效率和小体积的电子电路。这款MOSFET采用DFN-8-EP(3.3x3.3mm)的封装形式,满足现代小型化和高集成度电子产品的发展趋势。

二、基本参数

  1. 型号: AON7140
  2. 类型: N沟道MOSFET
  3. 功率: 46W
  4. 最大工作电压: 40V
  5. 最大连续漏电流: 148A
  6. 封装类型: DFN-8-EP (3.3x3.3mm)
  7. 品牌: AOS

三、特性与优势

  1. 高效能: AON7140的设计旨在将开关损耗和导通损耗降到最低,因此可实现更高的能效,适合用于电源管理、电池电源及DC-DC转换器等应用。

  2. 低导通电阻: 该部件具有极低的RDS(ON)值,有助于减少在导通状态下产生的功耗。这使得它在高电流应用中表现优异,特别适用于需要快速开关和高负载能力的电路。

  3. 小型封装: 采用DFN-8-EP封装,AON7140的尺寸为3.3mm x 3.3mm,非常适合于空间受限但需要高功率的应用场合。这种小型化设计减小了PCB的占用面积,提高了设计灵活性。

  4. 优异的热性能: AON7140的热管理设计良好,能够在高负载条件下保持较低的工作温度,增强了系统的稳定性和可靠性。

  5. 高频性能: 由于其快速开关特性,AON7140非常适合高频应用,比如高频DC-DC转换、正弦波逆变器和其他需要快速上升/下降时间的场合。

四、应用领域

AON7140广泛应用于多种电子及电力设备中,包括但不限于:

  • 电源管理: 在开关电源、DC-DC变换器和AC-DC适配器中,AON7140可作为开关元件,提高效率,降低能耗。
  • 电动工具: 由于其高电流处理能力,这款MOSFET可用于电动工具的电机驱动。
  • 电池管理系统: 在锂电池管理和充电系统中,AON7140可用于控制充电和放电过程,增强系统的安全性和效率。
  • 汽车电子: 在电动汽车和混合动力车辆中,AON7140适用于电机驱动、逆变器和充电器。

五、应用设计注意事项

在设计基于AON7140的电路时,工程师应关注以下几个方面:

  1. 驱动电路: 确保MOSFET的栅极驱动电压足够高,以实现快速开关。同时,考虑到大电流应用,需要适当的驱动电流以减少开关损耗。

  2. 散热设计: 由于高功耗可能导致过热,设计时应考虑有效的散热方案,如散热片或风扇,以维持MOSFET的正常工作温度。

  3. PCB布局: 要求良好的PCB设计以减少寄生电感和电阻,优化信号传输。例如,栅极走线应尽量短,避免高频干扰。

六、结论

AON7140作为一款高性能N沟道MOSFET,其强大的电气参数和小巧的封装使其在现代电子设计中具有重要的应用价值。无论是在电源管理、电动工具还是汽车电子领域,其出色的性能均能满足高效、高性能电路的需求。因此,选择AON7140可以为您的项目带来更好的性能和可靠性。