STP180N4F6

STP180N4F6 产品概述

一、产品基本介绍

STP180N4F6 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的 N 通道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于各类高效能功率控制应用。该 MOSFET 采用通孔封装结构（TO-220），具有出色的电气性能和热管理能力，广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动、开关电源和LED驱动等领域。

二、主要参数

• FET 类型: N 通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压 (Vdss): 40V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A（Tc）
• 驱动电压: 最小 Rds On：4.5V，最大 Rds On：10V
• 功率耗散（最大值）: 190W（Tc）
• 安装类型: 通孔
• 封装类型: TO-220
• 供应商器件封装: TO-220-3

三、性能与应用

STP180N4F6 MOSFET 的 N 通道特性使其在低电压大电流领域表现出色，能够在40V的较高电压下稳定工作，电流承受能力高达120A，适合用作高功率开关。其在4.5V至10V的驱动电压范围内，以较低的漏源电阻（Rds On）实现优异的效率，从而降低了系统功耗。这一特性使得该器件在需长时间高载运行的电源管理应用中极具优势。

四、热管理与散热

STP180N4F6 的最大功耗可达190W，这使得该 MOSFET 在高功耗应用中必须有效的进行散热。TO-220 封装为散热设计提供了便利，能够通过安装散热片进一步提高散热能力。通过优化的散热设计，用户可以在高功率场合中保持 MOSFET 的工作温度在安全范围内，延长器件寿命并提升整体系统的可靠性。

五、应用场景

1. 开关电源: 由于高效率和大电流承受能力，STP180N4F6 可应用于各种开关电源设计，尤其是那些需要高频、高效转换的场合。

2. 电机驱动: 在电动机驱动电路中，该 MOSFET 能够快速开关和控制电流，从而提高电机的反应速度与控制精度。

3. DC-DC 转换器: 高效率的功能使得 STP180N4F6 可用在降压和升压的 DC-DC 转换器中，满足严苛的输入/输出电压和当前要求。

4. LED 驱动: 此器件同样适合用于 LED 驱动电路，有效提高电源利用率，降低电能消耗。

六、总结

综上所述，STP180N4F6 是一款表现优异的 N 通道 MOSFET，适用于各类需要高效能及良好热管理的电源控制与功率转换应用。其出色的电气性能、适中的驱动电压范围及强大的电流承受能力使其成为电子工程师设计高效电源解决方案的理想选择。凭借意法半导体强大的研发与生产能力，STP180N4F6 能够满足现代电子设备对高性能元件的需求。