注：图像仅供参考，请参阅产品规格
IRF2804STRLPBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
D2PAK
包装 :
编带
重量 :
1.677g
描述 :
场效应管(MOSFET) 300W 40V 75A 1个N沟道 D2PAK
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
13.16按整 :
圆盘(1圆盘有800个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥13.16
--
100+
￥11.75
--
800+
￥11.3
--
12000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRF2804STRLPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 75A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2 毫欧 @ 75A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 240nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6450pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 300W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D2PAK |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
IRF2804STRLPBF手册
无数据
IRF2804STRLPBF概述
IRF2804STRLPBF 产品概述
IRF2804STRLPBF 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，符合最新的电子元器件应用需求，具有出色的电气特性和热管理能力。该产品广泛应用于电源管理、马达驱动、电动车辆和其他需要高功率开关的场合。作为英飞凌公司提供的一款品质优良的器件，IRF2804STRLPBF 将卓越的电流承载能力与高效的导通性能结合在一起，适合于各类严苛的应用。
主要参数与特性
电气特性：
- 漏源电压 (Vdss)：本器件的最大漏源电压为 40V，确保在各种工作条件下都能保持稳定的电气特性。
- 连续漏极电流 (Id)：在 25°C 的环境温度下，IRF2804STRLPBF 可持续承载高达 75A 的电流，这使其能够在重负载条件下稳定工作而不易出现过热。
- 导通电阻 (Rds(on))：在 10V 的栅极驱动下，IRF2804STRLPBF 在 75A 时的最大导通电阻为仅 2 毫欧，极大地减少了功率损耗。
- 栅极阈值电压 (Vgs(th))：器件的最大栅极阈值电压为 4V，这确保能够在较低的逻辑电平下可靠开启 MOSFET。
- 栅极电荷 (Qg)：在10V的工作条件下，栅极电荷为 240nC，充分表明器件在开关频率较高的应用中的响应速度。
热特性：
- 功率耗散：IRF2804STRLPBF 的最大功率耗散能力为 300W（Tc），使其能够在高功率应用中有效管理热量，确保长期可靠工作。
- 工作温度范围：宽广的工作温度范围从 -55°C 到 175°C，适用于严酷环境中，满足多种行业的要求。
封装与安装：
- 封装类型：该器件采用 D2PAK 封装，具备良好的散热性能和电气性能，适合于表面贴装(SMT)工艺，便于在现代生产线上进行自动化装配。
- 封装规格：IRF2804STRLPBF 封装符合 TO-263-3 和 D²Pak 的标准，提供了优良的占板空间及电气连接方式。
应用领域
IRF2804STRLPBF 适用于多种应用领域，如：
- 电源转换：用于DC-DC转换器和UPS系统中，通过其高效的开关特性，实现高效率的能量传输。
- 电动车辆驱动：在电动汽车和混合动力汽车中作为主动力电源管理组件，保证高电流输出及高效能量使用。
- 工业自动化设备：在电机驱动、伺服控制系统中作为功率开关，提升工作效率与控制精度。
- 消费电子：可用于各种智能家居设备及可穿戴设备等场合，实现高效能与低功耗。
结论
IRF2804STRLPBF 是一款技术先进且性能卓越的 N 通道 MOSFET，凭借其优良的电气和热特性，成为了众多电子应用中的理想选择。无论是在电源管理还是工业驱动环境中，IRF2804STRLPBF 都能够满足高画质输出和低能耗的需求，帮助设计工程师实现更高效的电力管理与控制方案。通过选择 IRF2804STRLPBF，用户将能够将其产品的性能提升到全新高度，同时也将订单贡献给全球领先的电子元器件制造商之一——英飞凌。