注：图像仅供参考，请参阅产品规格
IRF3808PBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
TO-220AB
包装 :
管装
重量 :
2.75g
描述 :
场效应管(MOSFET) 330W 75V 140A 1个N沟道 TO-220AB
库存 :
138(起订量1,增量1)
批次 :
21+数量 :
X
6.1按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥6.1
--
100+
￥4.88
--
1000+
￥4.52
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRF3808PBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 75V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 140A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7 毫欧 @ 82A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 220nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5310pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 330W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
IRF3808PBF手册
无数据
IRF3808PBF概述
产品概述：IRF3808PBF
一、概述
IRF3808PBF 是一种高性能 N 通道金属氧化物场效应晶体管（MOSFET），由著名的半导体制造商英飞凌（Infineon）生产。该设备采用了先进的半导体技术，具有优异的导通特性和热性能。IRF3808PBF 适用于各种高效能的开关电源、逆变器和电机驱动等应用，广泛应用于工业、汽车和消费电子等领域。
二、技术规格
IRF3808PBF 的主要技术规格如下：
- FET 类型: N 通道
- 技术: MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）
- 漏源电压（Vdss）: 75V
- 连续漏极电流（Id）: 140A（在 Tc = 25°C 时）
- 驱动电压: 最大 Rds On 和最小 Rds On 为 10V
- 导通电阻 (Rds On): 最大值为 7 mΩ @ 82A，10V
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 最大值为 4V @ 250µA
- 栅极电荷 (Qg): 最大值为 220nC @ 10V
- 最大栅极-源极电压（Vgs）: ±20V
- 输入电容 (Ciss): 最大值为 5310pF @ 25V
- 功率耗散（Pd）: 最大值为 330W（在 Tc 条件下）
- 工作温度范围: -55°C 至 175°C（TJ）
- 封装类型: TO-220AB
三、性能特点
IRF3808PBF 的突出性能使其在多种应用中具备竞争力：
高导电性和低导通电阻: 其低 Rds On 值（7 mΩ）确保了在高电流条件下的低功耗损耗，降低了热量的产生，提升了系统的整体效率。
高温稳定性: 工作温度范围达到 -55°C 至 175°C，使得 IRF3808PBF 可以在恶劣环境下稳定工作，满足工业应用的苛刻要求。
强大的热管理能力: 330W 的功率耗散能力意味着该元件可有效应对大功率应用中的热管理问题，降低了过热风险。
高频性能: 较小的输入电容（5310pF）和栅极电荷（220nC）使得 IRF3808PBF 适合高频开关应用，降低了开关损耗。
四、应用场景
IRF3808PBF 的设计使其广泛应用于多个领域，包括但不限于：
- 开关电源: 在高效电源转换中作为主开关元件，提供卓越的电源效率。
- 电机驱动: 用于电动机控制系统中以提供良好的性能和保护特性。
- 逆变器: 在太阳能逆变器、电动汽车电动机驱动系统等中广泛使用，确保高效运行和耐用性。
- 消费电子产品: 用于各种家电中，提升能效和稳定性。
五、总结
总之，IRF3808PBF 是一款性能出色的 N 通道 MOSFET，结合了高电流承担能力、低功耗特性及宽广的工作温度范围，适合于各种电子设计师和工程师的需求。无论是在高频开关电源、工业控制还是汽车电子领域，IRF3808PBF 都是理想的选择。选择 IRF3808PBF，一定能为你的设计提供可靠的性能和稳定性。