功率(Pd) | 24W | 商品分类 | 场效应管(MOSFET) |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 13.2mΩ@13A,10V | 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 10nC@4.5V | 漏源电压(Vdss) | 60V |
类型 | 1个N沟道 | 输入电容(Ciss@Vds) | 755pF@30V |
连续漏极电流(Id) | 13A | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.2V@250uA |
AON7246E 是一款高性能 N 沟道场效应管 (MOSFET),其额定功率为 24W,工作电压为 60V,最大漏极电流可达 13A。该元件采用 DFN-8-EP(3x3mm)封装,具有体积小、散热性能良好的特点,非常适合用于电子设备中的功率管理、开关电源及其他相关应用。
高效能:AON7246E 的低 Rds(on)(导通电阻)使其在导通状态下功耗极低,从而提高了整体能效,减少了热损失。该特性能显著提升开关电源和逆变器的效率,对降低系统的能耗至关重要。
体积小:DFN3x3 封装不仅占用空间小,而且有助于实现高板密度设计。适用于需要高集成度的便携式设备和小型电子产品,特别是在对空间和重量有严格要求的应用场合。
良好的散热性能:DFN 封装设计能够提高散热效率,确保芯片在高负载情况下的稳定性和可靠性,减少因为温度过高导致的故障风险。
适用范围广:AON7246E 在多个领域都有广泛应用,包括:
AON7246E 的设计使其成为许多现代电子设备的理想选择,比如:
AON7246E 是一款具有高效能和良好热管理特性的 N 沟道 MOSFET,广泛应用于现代电子设备中。其超小的DFN封装和优异的电气性能使其能够满足在严苛条件下的实际应用需求。针对高频和高效能的场合,这款 MOSFET 无疑是电源管理设计的重要组成部分。
AON7246E 不仅可以帮助工程师优化电路设计和提升系统性能,还能够在缩小体积和降低功耗方面发挥重要作用。无论是在消费电子产品还是在工业设备中,AON7246E 都是值得信赖的功率开关解决方案。