DMN2990UDJ-7
DMN2990UDJ-7参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 990 毫欧 @ 100mA，4.5V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 450mA | FET 类型 | 2 N-通道（双） |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 27.6pF @ 16V | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 0.5nC @ 4.5V | 漏源电压（Vdss） | 20V |
| FET 功能 | 逻辑电平门 | 功率 - 最大值 | 350mW |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
DMN2990UDJ-7手册
DMN2990UDJ-7概述
产品概述：DMN2990UDJ-7
简介
DMN2990UDJ-7 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，专为表面贴装应用设计，广泛用于低功耗、高效率的电路中。它以小型 SOT-963 封装形式提供，能够在较小的电路板空间中实现高效的功率管理。其优异的导通电阻和低栅极电荷使其成为逻辑电平驱动电路和开关应用的理想选择。
基本特性
工作电压与电流：DMN2990UDJ-7 的漏源电压（Vdss）最大为 20V，能够承受的连续漏极电流（Id）达到 450mA。这使得其在多个应用中都具备广泛的适应性，适合各种电源管理和开关电路。
低导通电阻：在 4.5V 的栅极驱动电压下，其导通电阻（最大值）为 990 毫欧，适用于要求低功耗的应用场合。这一点对于减少热损耗、延长器件寿命和提高系统效率具有重大意义。
输入电容：其在16V下的输入电容（Ciss）为最大值 27.6pF，低输入电容特性使得其切换速度快，适合高频应用。
栅极电荷：在 4.5V 的条件下，最大栅极电荷（Qg）仅为 0.5nC，极低的栅极电荷能够实现更快的栅驱动速度，减少驱动电路的功耗。
阈值电压：其在250µA下的最大栅源阈值电压（Vgs(th)）为 1V，确保其在逻辑电平驱动时能够迅速开启，提高电流的引导及开关效率。
环境与安全
工作温度范围：DMN2990UDJ-7 的工作温度范围广泛，从 -55°C 到 150°C，适用于各种恶劣环境下的应用，确保器件的可靠性与稳定性。
功率处理能力：该MOSFET提供的最大功率为 350mW，有效支持各种电路与系统的功耗管理需求，从而实现高效的能量转换。
应用场景
DMN2990UDJ-7 可广泛应用于多种场合，具体包括：
- 开关电源：在开关电源电路中，DMN2990UDJ-7 能够有效控制电源的开关状态，提高转换效率。
- 电机驱动：其高电流承载能力和快速开关特性使其适用于驱动小型电机或执行器。
- 逻辑电平转换：DMN2990UDJ-7 非常适合用于需要逻辑电平转换的应用，方便与其他数字电路组件进行配合。
- 电池管理系统：在电池管理系统中，可以有效降低功耗，同时提高电池的充放电效率。
总结
DMN2990UDJ-7 是一款设计精良、性能卓越的 N 通道 MOSFET，适合多种高效能需求的电路应用。从低导通电阻到广泛的工作温度范围，其出色的电气性能和紧凑的封装使其成为现代电子产品中不可或缺的元件之一。无论是电源转换、开关控制还是逻辑门电路，该MOSFET都能够满足用户的高标准要求，带来高效、可靠的电源管理解决方案。