PMV213SN,215
PMV213SN,215参数
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 1.9A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 1mA | 漏源导通电阻 | 250mΩ @ 500mA,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 280mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.9A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 250 毫欧 @ 500mA，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 7nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 330pF @ 20V | 功率耗散（最大值） | 280mW（Tj） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-236AB | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
PMV213SN,215手册
PMV213SN,215概述
产品概述：PMV213SN 和 PMV215 - N 沟道 MOSFET
随着电子产品对高效能和小型化的追求，场效应晶体管（MOSFET）在电路设计中的重要性日益凸显。PMV213SN 和 PMV215 是两款由 Nexperia（安世）推出的高性能 N 沟道 MOSFET，专为满足各种电子应用中的高效能需求而设计。它们具有优异的电气性能和灵活的工作条件，非常适合用于开关、电源管理、信号放大和其他多种应用。
基础参数
PMV213SN 和 PMV215 的核心参数展示了它们在实现高效能时的优越设计：
漏源电压 (Vdss)：二者的漏源电压均为 100V，能够满足大部分中高压应用的需求。
连续漏极电流 (Id)：在 25°C 时，两个型号的连续漏极电流为 1.9A。这使它们适合多个高负载场景，并确保在持续运行时表现出色。
栅源极阈值电压 (Vgs(th))：两款器件的栅源极阈值电压为 4V @ 1mA，确保它们在较低的栅电压下即可启动，适合用于低功耗应用。
最大功率耗散：在 25°C 的环境下，最大功率耗散为 280mW，使得两个型号在热管理方面表现良好，从而提高系统的可靠性。
导通电阻与开关特性
在实际应用中，导通电阻（Rds（on））的大小直接影响到功率损耗。PMV213SN 和 PMV215 在 500mA 和 10V 驱动条件下的漏源导通电阻为 250mΩ，极大地降低了在大电流时的功耗。这使得这两款 MOSFET 在高频开关和电源应用中非常有价值。
此外，对于不同的漏极电流（Id）、栅源电压（Vgs），这两款器件展现出稳定的电气性能。最大栅极电荷（Qg）为 7nC @ 10V，表明在开关不同状态时，它们对驱动器的需求非常小，有助于简化电路设计，提高效率。
电气特性与安装
PMV213SN 和 PMV215 具有出色的输入电容特性（Ciss），在 20V 时为 330pF，使得器件在高频信号处理和快速开关中表现良好，减少了开关延迟并提高了响应速度。同时，它们的工作温度范围为 -55°C 到 150°C，确保了器件在极端环境下工作的可靠性。
这两款 MOSFET 采用表面贴装（SMD）封装，官方封装类型为 TO-236AB，符合现代电子产品对小型化和轻量化的设计需求。TO-236-3、SC-59 和 SOT-23-3 也为工程师们提供了多种选择，以适应不同的PCB布局和焊接方法。
应用场景
PMV213SN 和 PMV215 在电源控制、马达驱动、LED 照明和信号调理等众多领域均有广泛应用。它们的高性能特性使其非常适合集成在便携式设备、汽车电子和工业控制模块中。
总结
综上所述，PMV213SN 和 PMV215 是高效能 N 沟道 MOSFET 的出色代表，提供了可靠的性能和灵活的适应性。它们的设计充分考虑了现代电子设备对功率和体积的双重需求，确保在多种工作条件下都能稳定运行。无论是用于电源管理还是开关调节，这两款产品都为设计师提供了极大的便利和可能性。通过利用这些 MOSFET，工程师们可以在确保高效能的同时，使其设计更为紧凑，迎合未来电子产品的发展趋势。