CJ2305 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

CJ2305

商品编码: BM69415551
品牌 : 
CJ(江苏长电/长晶)
封装 : 
SOT-23(SOT-23-3)
包装 : 
-
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 350mW 12V 4.1A 1个P沟道 SOT-23
库存 :
6361(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.252
按整 :
-(1-有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.252
--
200+
¥0.163
--
1500+
¥0.141
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

CJ2305参数

功率(Pd)350mW反向传输电容(Crss@Vds)190pF@4V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)90mΩ@1.8V,2A
工作温度-50℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)9nC@4V
漏源电压(Vdss)12V类型1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)740pF@4V连续漏极电流(Id)4.1A
阈值电压(Vgs(th)@Id)500mV@250uA

CJ2305手册

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CJ2305概述

CJ2305 产品概述

一、产品简介

CJ2305是一款高性能的P沟道场效应管(MOSFET),其额定功率为350mW,最大电压可达12V,电流能力为4.1A。该器件采用SOT-23封装,因其紧凑的外形设计和优越的散热能力,使CJ2305在各种电子设备中得到广泛应用。

二、技术规格

  • 类型: P沟道MOSFET
  • 额定功率: 350mW
  • 最大电压(Vds): 12V
  • 最大电流(Id): 4.1A
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 材料: 硅(Si)
  • 输入栅极阈值电压(Vgs(th)): 可在数据手册中查阅具体参数
  • 导通电阻(Rds(on)): 在特定条件下可获得的低阻抗特性

三、主要特点

  1. 高效率: CJ2305采用先进的制造工艺和材料,能在低栅极驱动电压下实现快速开关,降低导通损耗,提高整体电源转换效率。

  2. 小型化设计: SOT-23封装使其适用于空间受限的应用场景,非常适合便携式设备、消费电子产品以及其他小型电路板。

  3. 良好的热性能: 凭借其优异的散热特性,CJ2305能在高负载条件下可靠工作,保障设备的稳定性和安全性。

  4. 广泛的应用兼容性: 可用于负载开关、线性调节器、PWM调制,以及驱动电机等多种电路,展现了极佳的适应能力。

四、应用领域

CJ2305在多个领域中具备广泛的应用潜力,包括但不限于:

  1. 消费电子: 适用于智能手机、平板电脑、电视机等日常电子产品中,作为开关元件实现电源管理与控制。

  2. 家用电器: 可以作为电源适配器中的开关元件,控制电流的流动,提高能效,降低待机功耗。

  3. 工业设备: 在工业控制系统中,CJ2305可用于驱动电磁阀、继电器等组件,为自动化设备提供高效、可靠的电源控制解决方案。

  4. 电动车辆: 在电动汽车和混合动力车的电源管理系统中,CJ2305作为开关管,控制功率转换和调节,提升整车的能量效率。

五、应用注意事项

在使用CJ2305时,需要注意以下几点:

  1. 散热设计: 在高电流及高频率情况下,建议设计合理的散热方案,以确保器件在安全工作区域内持续运行。

  2. 击穿电压: 在电路设计时,务必遵循额定工作条件,避免超过最大额定电压和电流,以防损坏器件。

  3. 驱动电压: 确保栅极驱动电压满足规格要求,适当的栅极驱动电压可以有效提升开关速度和降低功耗。

六、总结

CJ2305作为一款高效、可靠的P沟道MOSFET,凭借其优良的性能和广泛的应用领域,成为现代电子产品中不可或缺的基础元件。无论是在高效电源管理、设备开关控制,还是在各种应用场景中,CJ2305都能凭借其卓越的性能,为用户提供稳定而高效的解决方案。选择CJ2305,便是选择了高效节能与设备性能的完美结合。