MMSTA56-7-F
MMSTA56-7-F参数
| 晶体管类型 | PNP | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 500mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 80V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 250mV @ 10mA，100mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 100mA，1V |
| 功率 - 最大值 | 200mW | 频率 - 跃迁 | 50MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 | 供应商器件封装 | SOT-323 |
MMSTA56-7-F手册
MMSTA56-7-F概述
MMSTA56-7-F 产品概述
产品简介
MMSTA56-7-F 是一种高性能的 PNP 型双极性晶体管（BJT），专为各种电子应用而设计。承载着高达 500mA 的集电极电流和 80V 的集射极击穿电压，本产品在多个电路中都表现出色，特别是对于需要高增益和稳定性的应用环境。作为表面贴装型器件，MMSTA56-7-F 封装在 SOT-323 封装中，其引脚布局适合于自动贴片生产，极大地提高了组装效率。
技术特点
电流规格：该晶体管的最大集电极电流（Ic）为 500mA，允许在较高功率的条件下正常工作。然而，在设计电路时，应确保不超过这一电流限制，以避免器件损坏。同时，集电极截止电流（ICBO）小于 100nA，确保在开路状态下几乎没有漏电流，有助于提高电路的能效。
电压能力：其最大集射极击穿电压为 80V，对于需要较高电压的应用非常适合。此外，在 100mA 和 10mA 的不同集电极电流下， Vce 饱和压降最大为 250mV，确保了设备在高电流环境下的良好响应。
增益性能：在 1V 的集电极-发射极电压下，DC 电流增益（hFE）最低可达 100，确保了在强负载条件下的稳定性和有效性。这一增益性能使得 MMSTA56-7-F 能够在多种应用中充当信号放大器。
工作频率：具备高达 50MHz 的跃迁频率，使得该晶体管在高速开关和射频（RF）应用中都能够有效工作。
温度范围：其工作温度范围从 -55°C 到 150°C，适合在各种严苛环境下使用，这使得 MMSTA56-7-F 被广泛应用于汽车电子、工业控制、消费电子等领域。
功率规格：该器件的最大功率为 200mW，适合为小功率电路提供信号放大和开关控制。
应用领域
MMSTA56-7-F 的设计使其适合于多种电子设备的应用，包括但不限于：
- 音频放大器：可用于信号放大，提升音质和音量。
- 开关电路：作为开关装置，可在各种电源控制应用中使用。
- 无线通讯：在射频放大器和发射器中可实现信号的增强和控制。
- 汽车电子：可用于传感器信号处理和控制模块，实现功率管理与信号传输。
- 消费电子：如电视机、音响、手机等设备的内部电路中，提升整体性能的可靠性。
可靠性和稳定性
作为一个由知名品牌 DIODES（美台）制造的产品，MMSTA56-7-F 在生产过程中经过严格的质量控制和测试，确保其在恶劣环境下的长期稳定性。它的封装设计和材料选择也经过深思熟虑，确保了产品在实际使用中抗干扰和抗热冲击的能力。
结论
总体而言，MMSTA56-7-F 是一款性能优越、应用广泛的 PNP 三极管，其强大的电流和电压规格，结合高增益和稳定的工作频率，使其成为各种电子电路的理想选择。无论是在专业的工业应用还是日常消费电子设备中，该器件都能够提供可靠的性能和效率，是现代电子设计中不可或缺的元件之一。通过选择 MMSTA56-7-F，设计人员可以确保他们的产品在性能和可靠性上都达到行业标准。