MMBTA13-7-F 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

MMBTA13-7-F

商品编码: BM69415548
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT23
包装 : 
编带
重量 : 
0.016g
描述 : 
达林顿管 300mW 30V 10000@5V,100mA NPN SOT-23
库存 :
2055(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.302
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.302
--
200+
¥0.195
--
1500+
¥0.17
--
3000+
¥0.15
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

MMBTA13-7-F参数

晶体管类型NPN - 达林顿电流 - 集电极 (Ic)(最大值)300mA
电压 - 集射极击穿(最大值)30V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)1.5V @ 100µA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)10000 @ 100mA,5V
功率 - 最大值300mW频率 - 跃迁125MHz
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装SOT-23-3

MMBTA13-7-F手册

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MMBTA13-7-F概述

产品概述:MMBTA13-7-F

一、基本信息

MMBTA13-7-F是一款使用NPN达林顿配置的半导体器件,由DIODES(美台)公司制造。该器件的设计旨在实现高性能的电流放大,特别适合多种应用环境,提供出色的电流增益和耐用性。这款晶体管的封装采用了流行的SOT-23类型,使其在空间有限的电子设计中尤为受欢迎。

二、核心规格参数

  1. 晶体管类型: NPN - 达林顿
  2. 电流 - 集电极 (Ic): 最高可达到300mA,适合需要较大集电极电流的电路。
  3. 电压 - 集射极击穿 (Vceo): 最大可承受30V,为电源设计提供了灵活性。
  4. 饱和压降 (Vce饱和): 在电流为100µA和100mA时,最大饱和压降为1.5V,这意味着在导通状态下的能量损失相对较小。
  5. 电流 - 集电极截止 (ICBO): 最大截止电流为100nA,表明在关断状态下的漏电流非常低,这使得其在待机模式下具有较好的功耗控制。
  6. DC电流增益 (hFE): 在电流为100mA和5V的条件下,最小电流增益为10000,这使得该器件的放大能力极为强大。
  7. 功率: 最大功率限制为300mW,这意味着在其工作时候热管理是一个需要考虑的因素。
  8. 频率 - 跃迁: 可达到125MHz,为高频信号放大提供了可能性。
  9. 工作温度范围: -55°C到150°C,适合各种恶劣条件下的应用。
  10. 封装: SOT-23-3,便于表面贴装,增加了PCB设计的灵活性。

三、应用场景

MMBTA13-7-F广泛应用于各种电子设备中,特别是在需要高增益小信号放大的场合。由于其高电流增益和相对较低的饱和压降,其特别适于以下用途:

  1. 信号放大: 在合并信号增益与功率之间保持平衡,适合用于音频放大器、传感器信号处理、无线通信等。
  2. 开关电路: 适合作为逻辑开关或继电器驱动器,用于低功耗微控制器驱动较大负载。
  3. 电源管理: 在开关电源和线性电源中,提供电流放大的功能,帮助稳定输出电压。

四、总结

整体而言,MMBTA13-7-F是一款功能强大的NPN达林顿晶体管,结合了高电流增益、低饱和压降和宽广的工作温度范围,适用于多种工程应用。其小巧的SOT-23封装不仅提升了设计的紧凑性,也增强了其在现代电子产品中的适用性。这款晶体管的特性使其适合高频与低功率条件下的信号放大及开关应用,是可靠性与性能兼具的理想选择。