SI7113ADN-T1-GE3

SI7113ADN-T1-GE3 产品概述

一、产品简介

SI7113ADN-T1-GE3 是一款由威世（VISHAY）制造的高性能 P 沟道金属氧化物场效应管（MOSFET），其专为高效率开关电源和功率转换应用而设计。该器件在 100V 的漏源电压范围内表现优异，具备高达 10.8A 的连续漏极电流能力（在 25°C 的环境条件下），适合于各种需要高电流承载能力的应用。

二、主要特性

1. 电气参数：

   • 漏源电压 (Vdss)：最高可承受 100V 的工作电压，使其能够适用于高压应用场景。
   • 连续漏极电流 (Id)：在 25°C 时的最大持续电流为 10.8A，为高功率通断提供稳定的性能。
   • 导通电阻 (Rds On)：
     • 在 Vgs 为 4.5V 时，导通电阻最大为 132毫欧，确保在导通状态下低功率损耗。
     • 在 Vgs 为 10V 时表现更佳，适合高效能低热设计。

2. 栅极特性：

   • 驱动电压：支持 4.5V 和 10V 的驱动电压，增加了灵活性。
   • 栅极阈值电压 (Vgs(th))：最大值为 2.6V，在 250µA 电流下启动开关尤为敏感，适用于快速切换应用。
   • 栅极电荷 (Qg)：在 10V 下的最大栅极电荷为 16.5nC，使其在开关过程中响应迅速，减小驱动功耗。

3. 输入和输出特性：

   • 输入电容 (Ciss)：随漏源电压（Vds）变化，最大值为 515pF @ 50V，能在高频应用中维持良好的响应特性。

4. 热管理：

   • 功率耗散 (Pd)：拥有 27.8W 的最大功率耗散能力，这使得该 MOSFET 在高负载下能保持安全温度，降低器件故障风险，提升系统的可靠性。
   • 工作温度范围：该器件的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适合极端环境下应用。

5. 封装与安装：

   • 封装类型：采用现代化的 PowerPAK® 1212-8 表面贴装封装，具备紧凑的体积和优秀的散热性能，便于在空间受限的应用中使用。

三、应用场景

SI7113ADN-T1-GE3 的设计使其十分适合以下应用场景：

• 开关电源：由于其高效率和低导通电阻，该 MOSFET 可用于 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器等开关电源设计，能有效提高系统效率并降低耗能。
• 电池管理系统：在电池充电和放电过程中，低功耗特性和高电流能力使其成为理想选择，保护和优化电池性能。
• 电动汽车：在电动汽车的电机驱动与充电系统中，该 MOSFET 可以用于控制高电压与大电流，提高电动系统的效能与安全性。
• 工业控制和自动化：适合于各种工控设备及自动化系统中的功率控制、负载开关及行程控制应用，提供稳定和可靠的工作性能。

四、总结

总的来说，SI7113ADN-T1-GE3 是一款功能强大、性能卓越的 P 沟道 MOSFET，凭借其高电压和高电流承载能力，低导通电阻和优越的温度管理性能，使其成为高效电源和功率转换系统中的理想选择。随着电子设备对高效和环保设计的日益重视，该器件定能为各种现代电子应用带来显著的性能提升。